晶体的缺陷解说.ppt

晶体缺陷的存在，破坏了完美晶体的有序性，引起晶体内能U和熵S增加。 按缺陷在空间的几何构型可将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷，它们分别取决于缺陷的延伸范围是零维、一维、二维还是三维来近似描述。每一类缺陷都会对晶体的性能产生很大影响，例如点缺陷会影响晶体的电学、光学和机械性能，线缺陷会严重影响晶体的强度、电性能等。 当杂质原子取代基质原子占据规则的格点位置时，形成替位式杂质，如图a；若杂质原子占据间隙位置，形成间隙式杂质，如图b。 对一定晶体，杂质原子是形成替位式杂质还是间隙式杂 质，主要取决于杂质原子与基质原子几何尺寸的的相对大小及 其电负性。杂质原子比基质原子小得多时，形成间隙式杂质， 因为替位式杂质占据格点位置后，会引起周围晶格畸变，畸变 区域一般不大，畸变引起的内能增加也不大，若杂质占据间隙 位置，由于间隙空间有限，由此引起的畸变区域比替位式大， 因而使晶体的内能增加较大。所以只有半径较小的杂质原子才 能进入敞开型结构的间隙位置中。例如：金属晶体结构的密堆 积形式决定了间隙空间的有限，这类晶体只有象H、C这样小的 原子才能进入间隙位置。许多金属氧化物晶体中，只有象Li+ 这样的杂质离子才能形成间隙缺陷。即使这样，间隙杂质也还 会引起明显的晶格结构的畸变。这种畸变以及基质原子和杂质 原子之间的化学差异，通常会影响杂质原子的溶解度（固熔限）。 缺陷能级 杂质的补偿 线缺陷——位错 晶体内部偏离周期性点阵结构的一维缺陷称为线缺陷。晶体中最重要的一种线缺陷是位错。位错在晶体的范性与强度、断裂、相变以及其他结构敏感性问题中起着重要作用。 位错的基本类型 位错是晶体结构中的一种缺陷，也可以说是原子排列的一种特殊组态。位错最简单、最基本的类型是“刃位错”和“螺位错”。 刃位错(棱位错） 螺位错 位错线的特征 1.滑移区与未滑移区的分界线； 2.位错线附近原子排列失去周期性； 3.位错线附近原子受应力作用强，能量高，位错不是热运动的结果； 4.位错线的几何形状可能很复杂，可能在体内形成闭合线，可能在晶体表面露头，不可能在体内中断。 刃型位错的特点是位错线垂直于滑移矢量b； 螺型位错的特点是位错线平行于滑移矢量b。 b又称为伯格斯（Burgers）矢量，它的模等于滑移方向上的平衡原子间距，它的方向代表滑移方向。 除此之外，还存在位错线于滑移矢量既不平行又 不垂直的混合型位错，如图。E处位错线与滑移矢量 平行，是纯螺型位错，F处的位错线与滑移矢量垂直， 是纯刃型位错。其余位错线与滑移矢量既不平行又不 垂直，属混合型位错，混合位错的原子排列介于刃型 位错和螺型位错之间，可以分解为刃型位错和螺型位 错 。 面缺陷与体缺陷 晶体内偏离周期性点阵结构的二维缺陷称为面缺陷， 主要有层错、小角晶界、晶界、相界等。晶体内部 偏离周期性点阵结构的三维缺陷称为体缺陷，主要有包 裹体、空洞、夹杂物，第二相等。 一、层错 层错是在密排晶体中原子面的堆垛顺序出现反常 所造成的面缺陷。前面讨论晶体的密堆积方式时得到： （1）fcc晶体在平行于{111}面的原子排列顺序是ABCABCABC……。 （2）hcp晶体在平行于{0001}面的原子排列顺序是ABABAB……。 若由力学因素（如变形）或热力学因素（加热或 冷却）使堆垛顺序发生局部变化，形成如下几种新结 构： （1）外层错：插入一密排层，形成 ABCAB(A)CABC……。 （2）内层错：抽去一密排层，形成 ABCABCBCABC……。 （3）孪生：对密排层，形成 ABCABCABCACBACBA……的排列。 这些堆错了的新结构，相当于在面心立方晶体 中形成了薄层的hcp晶体，也称为堆垛层错。这些层 错对晶体的影响仅在于层错面两侧的晶体结构相应 于理想情况作了一个特定的非点阵相对平移，这种 平移在密堆积结构中并不改变原子最近邻的关系， 只产生次近邻的错排，而且几乎不产生畸变，所以 是一种低能量的面缺陷。除密堆积结构外，其它类 型的晶体也可能出现层错，如金刚石结构和闪锌矿 结构的{111}面在外延生长过程中，将会出现层错。 体缺陷 在体缺陷中比较重要的是包裹体。包裹体是晶 体生长过程中界面所捕获的夹杂物。它可能是晶体 原料中某一过量组分形成的固体颗粒，也可能是晶 体生产过程中坩埚材料带入的杂质微粒。这是一种 严重影响晶体性质的体缺陷，如造成光散射，或吸 收强光引起发热从而影响晶体的强度。另一方面， 由于包裹体的热膨胀系数一般与晶体不同，在单晶 体生长的冷却过程中会产生体内应力，造成大量位 错的形成。 虽然位错滑移一个原子间