模拟电子技术半导体二极管及其基本电路解读.pptVIP

例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解：由电路的KVL方程，可得 即 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线 Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点 §2.4 二极管基本电路及其分析方法 §2.4 二极管基本电路及其分析方法 一、四种建模 1、理想模型 正向偏置时，管压降为0V， 反向偏置时，电阻为无穷大。 iD vD iD + vD － 2、恒压降模型 正向偏置时，管压降为恒定,一般为0.7V， 反向偏置时，电阻为无穷大。 iD + vD － iD vD 适用：电源电压二极管压降 适用：iD ≥1mA 3、折线模型 认为二极管的压降随着电流的增加而增加。可用一个电池和一个电阻近似。电池压降为二极管的门坎电压。 iD vD iD + vD － Vth rD 适用：需考虑到rD变化时，输入电压不高 4、 小信号模型 vs =0 时, Q点称为静态工作点 ，反映直流时的工作状态。 vs =Vmsin?t 时（VmVDD）, 将Q点附近小范围内的V-I 特性线性化，得到小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。 4、小信号模型 在静态工作点Q附近工作时，可以将二极管V-I特性看作一条直线，其斜率的倒数就是二极管小信号模型的微变电阻。 vD iD △iD △vD + △vD _ △iD rd ID Q 适用：二极管仅在 V-I特性的某一小 范围内工作 二、分析方法应用 例1 电路如图所示，分别用理想模型，恒压降模型和折线模型来求电路的ID和VD。 VDD +10V 10KΩ　R 解 首先标出参考方向 + vD _ ID 1)理想模型 VD=0V, ID=VDD/R=1mA 2)恒压降模型 VD=0.7V, ID=(VDD-VD)/R=0.93mA 3）折线模型 例2 设二极管是理想的，分析图中各二极管的导通或截止情况，并求AO两端的电压UAO。 + VD - 　D 15V　　R=3KΩ 12V A + O - 解 分析方法：先将要分析的二极管断开，求VD VD=(-15V)-(-12V)=-3V0 所以二极管截止 VAO=-12V D1 D2 3V 2K 5V A + O - 解 分析方法：如果电路中有两个二极管，则将所有二极管都断开，再按前面所学的方法分析，管压降大的优先导通。 但VD1 VD2 管压降大的管子优先导通, 二极管D1先导通从而导致二极管D2截止 VAO=0V VD1=5V0 所以二极管D1导通 VD2=5V-3V=2V0 所以二极管D2导通 例３ 设二极管是理想的，分析图中各二极管的导通或截止情况。 解 分析方法：先将要分析的二极管断开，求VD Ｂ _ + +15V Ｄ Ａ 10V 18K O 25K 140K 10K 2K 5K 因为VBVA所以D截止. 图 二极管半波整流电路 (a)电路；(b)输出波形 三、晶体二极管应用电路举例 1. 整流电路 2. 门电路(开关) 图 二极管门电路 （与门） 3. 二极管限幅电路 图 二极管限幅电路 (a)电路; (b)波形 §2.5特殊二极管 一、稳压二极管 二极管可分为：普通二极、稳压管、变容管、 光电管、发光管、隧道管、微波管、恒流管等。 稳压管又称为齐纳二极管，它的杂质浓度较大，空间电荷区很窄，容易形成强电场。产生反向击穿时反向电流急增。稳压管的稳压作用在于，电流增量很大，只引起很小的电压变化。 图中的VZ表示反向击穿电压，即稳压管的稳定电压。稳压管的稳压作用在于，电流增量ΔIZ很大，只引起很小的电压变化ΔVZ。曲线愈陡，动态电阻rz=ΔVZ/ΔIZ愈小，稳压管的稳压性能愈好。 一般地说，VZ为8V左右的稳压管的动态电阻较小，低于这个电压的，rZ随齐纳电压的下降迅速增加，因而低压稳压管的稳压性能较差。稳压管的稳定电压VZ，低的为3V，高的可达300V，它的正向压降约为0.6V。 (1) 稳定电压VZ (2) 动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?VZ /?IZ (3)最大耗散功率 PZM= VZ IZmax (4)最大稳定工作电流 Izmax 和最小稳定工作电流 IZmin 稳压条件： IZmin ≤ IZ≤ IZmax (5)稳定电压温度系数——?VZ 稳压二极管主要参数 稳压电路 正常稳压时 VO =VZ 使用稳压管稳压