工艺-硅片制造材料.pptVIP

晶向 100 晶面 硅片表面腐蚀坑 层 错 为什么是硅? 历史的选择 储量丰富，便宜, 取之不尽，用之不竭 二氧化硅性质非常稳定，绝缘性能极好，且很容易通过热过程生长 禁带宽度大，工作温度范围宽 电学和机械性能都非常奇异。 从沙子到硅片 原材料：石英砂（二氧化硅） 沙子先转化为多晶硅 (冶金级 MGS) 将MGS粉末与HCl反应以形成三氯硅烷（TCS） 用汽化＋凝结法提高TCS的纯度 将TCS与H2反应生成多晶硅(电子级EGS) 从沙子到硅片-2 熔化EGS，拉成单晶硅锭 掐头去尾，磨边，做槽口或者切面 将硅锭切成硅片 边缘去角，抛光，湿法刻蚀，CMP 激光刻线 外延淀积 (optional) 电子级硅 （1）拉单晶: CZ 方法 CZ 拉单晶图示 （2）区熔法－FZ Method 两种方法的比较 CZ 方法更普遍 成本更低 硅片尺寸更大 (300 mm已可投入生产) 材料可重复使用 FZ方法（Floating Zone) 单晶纯度更高 (无坩锅) 成本更高，硅片尺寸偏小 (150 mm) 主要用于功率器件 五：掐头去尾、径向打磨、切面、或者制槽 六、硅片切割 Wafer Sawing 七、硅片倒角 Edge Rounding 八、抛光 粗抛 传统的, 研磨式的, 磨粉浆抛光 目的在于移除大部分的表面损伤 形成平坦的表面 九、湿法腐蚀 去除硅片表面的缺陷 4:1:3 比例混合物：HNO3 (79 wt% in H2O), HF (49 wt% in H2O), and pure CH3COOH. 化学反应: 3 Si + 4 HNO3 + 6 HF ? 3 H2SiF6 + 4 NO + 8 H2O 十、化学机械抛光 200 mm 硅片厚度和表面粗糙度变化 硅片参数 十一 外延 从体硅衬底到SOI衬底From Bulk to Silicon-On-Insulator (SOI) SOI技术：更好的器件隔离；速度更快；封装密度更高；电路性能更佳 SOI 衬底上的CMOS 氧注入 SOI技术（SIMOX）－Separation by implantion of oxygen 工艺非常简单，仅仅两大步：（1）大剂量氧离子注入，和（2）高温退火 总 结 硅是一种储量丰富、廉价的材料，且其氧化层具备高强度、高稳定性以及容易生长等优点 100 和 111 CZ 和FZ(floating zone), CZ更常用 切割, 去角,抛光,刻蚀和CMP 外延层: 单晶硅上的单晶硅 为双极型和高性能CMOS, DRAM所需 SOI: 键合和氧注入 Slurry Polishing Pad Pressure Wafer Holder Wafer 76 mm 914 mm 硅片切割后 12.5 mm 814 mm 2.5 mm 750 mm 725 mm Virtually Defect Free 抛光后 腐蚀后 CMP后 Wafer Size (mm) Thickness (m m) Area (cm 2 ) Weight (grams) 279 20.26 1.32 381 45.61 4.05 100 (4 in) 525 78.65 9.67 125 (5 in) 625 112.72 17.87 150 (6 in) 675 176.72 27.82 200 (8 in) 725 314.16 52.98 300 (12 in) 775 706.21 127.62 50.8 (2 in) 76.2 (3 in) 1、作为双极型晶体管的埋层保持高击穿电压的同时减小集电极电阻（Link)。 2、有利于改善CMOS和DRAM器件的性能。外延层中氧、炭含量较硅晶体更低。（Link) 加热 (1100 ° C) SiH2Cl2 ? Si + 2HCl DCS Epi Hydrochloride 1、体硅材料的制备 2、SOI材料的制备 分两部分： n+ n+ p+ p+ n+ n+ p+ p+ p-subs n-well Vout Vin Vdd Vss Vin Vout Vss Vdd subs 体硅CMOS SOI CMOS p-Si USG n-Si 体硅 多晶硅 STI 埋层氧化层 n+ 源/漏 p+ 源/漏 栅氧 SOI衬底的制备方法 单晶硅膜（SOI） 埋氧层（BOX） 衬底 (Substrate) 两种主要方法： （1）注入法 （2）键合法 SIMOX技术的几个关键因素 （1）氧离