模电第二节半导体二极管.pptVIP

* 第二节 半导体二极管 第二节 半导体二极管 PN结及其单向导电性 二极管的伏安特性 二极管的主要参数 稳压管 总目录 下页 - + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - 1. PN结中载流子的运动 - + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - 空间电荷区 内电场 Uho 又称耗尽层，即PN结。 最终扩散(diffusion)运动与漂移(drift)运动达到动态平衡，PN结中总电流为零。 内电场又称阻挡层，阻止扩散运动，却有利于漂移运动。 硅约为（0.6~0.8）V锗约为（0.2~0.3）V 一、PN结及其单向导电性 扩散 漂移 下页 上页 首页 1、空间电荷区中没有载流子。 2、空间电荷区中内电场阻碍P中的空穴、N区 中的电子（都是多子）向对方运动（扩散运动）。 3、P 区中的电子和 N区中的空穴（都是少子），数量有限，因此由它们形成的电流很小。 注意: 正向电流 外电场削弱了内电场有利于扩散运动，不利于漂移运动。 空间电荷区变窄 2. PN结的单向导电性 加正向电压 + - U - + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - R E 耗尽层 内电场 Uho - U 外电场 I 称为正向接法或正向偏置（简称正