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- 2016-11-27 发布于湖北
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*/89 2.4.3 电力场效应晶体管 ◆电力MOSFET的结构 ?是单极型晶体管。 ?结构上与小功率MOS管有较大区 别,小功率MOS管是横向导电器件,而 目前电力MOSFET大都采用了垂直导电 结构,所以又称为VMOSFET(Vertical MOSFET),这大大提高了MOSFET器 件的耐压和耐电流能力。 ?按垂直导电结构的差异,分为利用 V型槽实现垂直导电的VVMOSFET (Vertical V-groove MOSFET)和具有 垂直导电双扩散MOS结构的DMOSFET (Vertical Double-diffused MOSFET)。 ?电力MOSFET也是多元集成结构。 图2-20 电力MOSFET的结构 和电气图形符号 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 */89 2.4.3 电力场效应晶体管 ◆电力MOSFET的工作原理 ?截止:当漏源极间接正电压,栅极和源极间电压为零 时,P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间 无电流流过。 ?导通 √在栅极和源极之间加一正电压UGS,正电压会将其下面P区中的空穴推开,而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的P区表面。 √当UGS大于某一电压值UT时,使P型半导体反型成N型半导体,该反型层形成
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