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MnGA基硬磁薄膜材料 电子1205 王挺 研究背景及意义 高密度垂直磁记录的现状 L10-MnGa与D022-MnGa晶体结构及其特点 MBE技术与磁控溅射合成MnGa MnGa材料的未来 研究背景 21世纪是信息的世界，人们掌握信息量的需求越来越高。在信息存储技术中，磁存储仍然是最重要的存储技术之一。为提高磁信息存储量，就必须不断减小用于记录信息的磁存储单元的尺寸。因此垂直磁记录技术便应运而生。与水平技术相比。极大地提高了磁记录密度。目前商用硬盘的磁记录技术基本都采用垂直记录技术，一般可以获得超过200Gb／in^2记录密度。 高密度垂直磁记录的现状 对于垂直磁记录材料而言，高的垂直磁各向异性 Ku与饱和磁化强度Ms是必要的。但过高的Ms随着记录密度的提高会在磁记录单元之间产生串扰。稀土材料是如今商业化垂直磁存储技术的主流。但是过高的成本以及稀土资源的限制。我们迫切的需要开发一种新材料。在过去的几十年中。MnGa合金由于自身优秀的性能而被广泛研究。 DOI: 10.1088/1674-1056/22/11/118505 晶相 Ku Merg/cc （BH)max MGOe P α L10-MnGa 26 28 71 0.0003 D022MnGa 20 3.7 88 0.001 DOI 10.1007/978-3-642-30247-3_13 L10-MnGa与D022-MnGa晶体结构 从 MnxGa相图以及Ku与Ms图不难看出，同时具有高的垂直磁各向异性 Ku与饱和磁化强度Ms的晶相只有L10相（0.76 ≤ x ≤1.8）及D022相（ 2 ≤ x 3.） (a)：L10-MnGa ( P4/mmm) a = 3.88–3.90? c = 3.64–3.69 ? （b）D022-MnGa（I4/mmm） a = 3.90–3.94? c =7.10–7.17? ? MBE法合成L10-MnGa 只有在MgO与GaAs衬底上延展出的MnGa才表现出垂直磁各向异性。 doi:10.1063/1.3298363 目前来说，只有在SrTiO3，Pt， GaAs这三种衬底上能得到光滑平整的高质量的MnGa外延原子层。而MgO衬底的MnGa原子层在连续性上还存在一定的问题。会出现断层现象。据报道在GaAs衬底的MnGa(0.76 ≤ x ≤ 2.60) 原子层具有良好的均匀性和优秀的界面。 磁控溅射法 DOI: 10.1103/PhysRevB.85.014416 30纳米厚的MnxGa1-X均使用磁控溅射在0.1Pa的Ar气氛中沉积在铬作为缓冲的（100）单晶MgO基片上 其中x =0.54，0.62，和0.72的Mn-Ga合金和x =0.65和0.75的Mn-Ga薄膜 使用共溅射技术制备。X =0.75的Mn-Ga薄膜在400的基板温度沉积。 因为Mn3Ga膜在Cr缓冲的后续退火过程是不可能得到。其它组分的薄膜在室温下沉积并在400?500C下退火。之后冷却至室温，所有的膜上铺钽层防止氧化。 同时更为重要的是MnxGa合金的结构以及磁学性质可以由以下几种有效的方法来进行控制：生长温度；成分组成；退火温度；不同的缓冲层。 DOI: 10.1103/PhysRevB.85.014416 从图中不难看出随着生长温度的变化，剩余磁化强度与饱和磁化强度之比几乎不变，同时饱和磁化强度单调增长以及矫顽力随之减少。垂直磁各向异性均随着发生改变。在250是Ku达到最大值 21.7 Merg/cc。单元作成5nm大小，则磁存储密度可以达到27 Tb/inch2 同时可以保证60年的寿命。 将D019相MnGa在350℃-400℃下退火一到2周即可获得D022相MnGa。同时D019相MnGa的反铁磁性消失，表现出铁磁性。 对于L10相可以在800K下保持稳定，而D022相在770K时转变为具有反铁磁性的D019相。对于Mn0.76Ga自身在450℃稳定，而界面至少在350下℃稳定。这足以我们将它与金属氧化物半导体晶体管的集成。 DOI: 10.1063/1.3108085 在少于5nm时出现了明显的氧化层，一般我们会加上一层Al的保护层。从图中能发现Al的保护作用明显。 10.1103/PhysRevB.83.020405 MnGa材料的未来 在确保热稳定性之后，应用于垂直磁化磁性隧道结MTJ和巨磁电阻（GMR）设备。同时由于MnGa材料的高Ku，高的居里温度，大的矫顽力，适中的Ms，低的磁阻尼常数。也可以开发出高性能的MR传感器， MTJ: Mn1.63Ga/MgO/CoFeB 三层薄膜 同时在Mn1.63Ga与MgO之间加入Co (1.5 nm)/Mg (0.