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CMOS 工艺 导论 基本的半导体工艺 CMOS工艺步骤 CMOS工艺中的器件 关于CMOS工艺的其它考虑 版图和版图规则 导论 了解工艺对模拟集成电路的重要性 基本的半导体工艺 硅晶圆（Silicon Wafer) 单晶生长 柱状晶体：直径75~300mm，长度1m。 在晶体生长时参杂：~ 切割成硅晶圆片 0.5~0.7 mm厚，厚度由物理强度要求决定。 氧化 氧化 ~ 在硅表面形成二氧化硅（ ）的工艺 用途 阻挡杂质对氧化层下材料的粘污 层与层之间的隔离 生长方式 干法（薄氧100~1000 ?）、湿法（厚氧） 生长的温度：700~1100 ℃ 氧化物在硅表面生长时也深入到硅的内部 扩散 扩散 ~ 杂质原子由材料表面向材料内部运动的过程，是一种参杂的方法。 两种扩散机理： 预淀积（表面无限杂质源） 再分布（表面无杂质源） 在高温下进行 700~1400℃ 离子注入 离子注入 ~ 杂质的离子由电场加速到很高的速度并注入到材料的内部。 参杂的精确控制 参杂的深度和浓度可控：±5%。重复性好 在低温下进行 退火温度：500~800℃ 需要退火处理 高速的离子注入会对半导体晶格产生破坏，使注入电子留在电不活动区。这种损害可以用退火的方法来修复。 淀积 淀积 ~ 把多种不