单元1半导体基础报告.pptVIP

单元1 半导体器件的理论基础 1.1 半导体基础 1.2 PN结原理 二、半导体与金属中的载流子 1.2 PN结 1. PN结的形成 2. PN结的单向导电性 3. PN结的穿通 4. PN结的反向击穿 5. PN结的电容效应 6. PN结的动态特性 7、PN结的动态特性 5、PN结的热效应 理想PN结的电流电压方程： 二极管的电流在一定电压下将是温度的函数。 Temperature Effects Diode current will increase as a specific voltage for both bias polarities 通态压降UF是温度的函数。在电流密度较小时，其温度系数是负数。电流密度较大时，其温度系数为正。 PN结的反向电流会随着结温的上升而增大。 温度升高还会使得PN结的雪崩击穿电压UB提高。 为避免这些热效应严重影响结型器件的稳定性，必须采用有效的散热措施，因而电力电子装置中的功率器件大多安装在带特制散热器的基座上。 6、PN结的电容效应 PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容CJ，又称为微分电容。 结电容按其产生机制和作用的差别可分为势垒电容CT和扩散电容CD 。 1、势垒电容（CT） ： PN结外加电压变化—空间电荷层宽度变化—P