恒流源电路讲述.ppt

电源抑制电流源 --CMOS峰值电流源 因此可求出当IDS1＝nVT/R时Io为最大，且有： 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 由上式可看出Io的峰值电流与VT成正比，即在选择IR＝IDS1=nVT/R时，输出电流可通过R、M3与M1的宽长比之比决定，而与电源电压几乎无关，因此该电流源又称为电源抑制电流源。 电源抑制电流源 --CMOS峰值电流源 电路中的电阻R可由扩散电阻实现。而且当IR稍偏离nVT/R时，输出电流值Io几乎不变。 该电路有一个主要缺点就是电阻R随工艺及温度变化较明显，因此必须考虑温度及工艺对输出电流Io的影响。 电源抑制电流源 --CMOS峰值电流源 2　饱和工作状态： 假设M1与M3工作于饱和区，则根据饱和萨氏方程可求出： 由以上两式可得到： 电源抑制电流源 --CMOS峰值电流源 同理，上式两边对VDS1求导，就可求得在IDS1＝（VDS3－Vth）/R时，Io的值为最大，且其最大值为： 　　 　　　　　　　　　　　　 因此，当IR取为（VDS3－Vth）/R时，其输出电流由M1与M3的宽长比之比、电阻R及M3的过驱动电压决定，而与电源电压无关。 电源抑制电流源 --CMOS峰值电流源 该电流源具有很高的电源抑制比。且当IR稍偏离nVT/R时，输出电流值Io仍可几乎保持不变。 同理，该电路的一个主要缺点就是电阻R随工艺及温度变化较明显，因此必须考虑温度及工艺对输出电流Io的影响。 电源抑制电流源--恒定跨导电流源 所有的MOS管都工作在饱和区，并且假设M3的宽长比为M1的K倍 。 根据KCL定理有： 　 且有： 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 根据饱和萨氏方程，则有： 电源抑制电流源--恒定跨导电流源 求解上式可得： 　　　　 如果ΔVth很小，则上式可简化成： 　　　 　　　　　　　　 而根据有关跨导的定义，可求得其负载管的跨导为： 电源抑制电流源--恒定跨导电流源 由上式可以看出输出电流与电源电压几乎无关，是一高电源抑制的电流源。 并且可以看出该电路的负载管的跨导为一常数，因此又称为恒定跨导gm的电流源。 当然该电路的缺点是电阻R的温度系数与工艺偏差会影响gml，为了减小电阻R的影响，对该电流源可进一步改进成： 把电阻R接到M4的源极以避免体效应。 电阻R可用开关电容电阻实现，可以得到较高的精度和调谐能力，但这需要另加时钟与电容。 * 另外，根据第二章的所介绍的知识可知，由于在实际工艺制作MOS管时，其漏源区存在边缘扩散效应，其用作沟道的长度实际上小于版图中所画的长度（L’=LDR－2LD），这在CMOS工艺特征尺寸越小时则越明显，所以若以一定比例改变沟道长度LDR时，实际沟道长度并不能按比例改变（因为相同工艺下LD基本不变），而在大多数电路中器件宽度都是一个较大的值（以避免出现狭沟道效应），因而边缘扩散效应所产生的影响较小，可认为实际沟道的宽度与所要求的宽度一致，即对器件宽度进行按比例变化时，其实际沟道宽度基本能保持所需的比例，。因此，在通过改变MOS管的宽长比以达到改变比例电流源的比例的目的时，一般电流镜中所有的MOS管都采用相同的栅长，而通过改变MOS管的宽以实现不同的电流比。 恒流源电路 基本电流镜结构 电流复制的基本原理：(复制精度与恒流特性） 工作在饱和区的两个相同MOS器件（相同的工艺参数） 具有相同栅源电压； 其漏极电流完全相等 实际电路中由于存在沟道调制效应时，漏源电压VDS若不相等，则其电流不相等。 基本电流镜结构 在考虑沟道调制效应时有： 　　 　　　　　　 可以看出： 若已有IR，只要改变M1与M2的宽长比，就可设计出Io，该结构即为比例电流镜 这种技术有着广泛的应用，如: 放大器的负载。 但是由于存在沟道调制效应，且VDS2是一变量，因此Io实际上不是一个恒流源。 基本电流镜结构 改善Io的恒流特性以实现真正意义上的电流源，原则上有两种方法： 减小以至消除M2的沟道调制效应，即通过增大M2的沟道长度，以减小λ，增大输出阻抗，从而改善恒流特性。 设定VDS2＝VDS1，则Io与IR只与M1、M2的宽长比相关，从而得到具有很好的恒流特性的电流源。 基本电流镜结构 因为沟道调制效应在小特征尺寸的CMOS工艺中是不能消除的，因此通常是采用第二种方法来改善电流源的恒流特性，由此而设计出了多种恒流源电路结构。 另外，有时还由于存在不同的体效应，使各自的阈值电压Vth不相等，因而其电流也会产生偏差，这也可以通过电路的合理设计以消除它对电流镜的影响。 威尔逊电流源 威尔逊电流源 该电流源的基本原理： 利用负反馈提