光电探测-3.2（zm2011）光电导探测器讲述.ppt

3.2 光电导探测器(PC-Photoconductive) 某些物质吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸收，从而改变了物质电导率的现象称为物质的光电导效应。利用具有光电导效应的材料（如硅、锗等本征半导体与杂质半导体，硫化镉、硒化镉、氧化铅等）可以制成电导随入射光度量变化的器件，称为光电导器件。最典型的光电导器件是光敏电阻。 3.2.1 光敏电阻的工作原理和结构 3.2.2 光敏电阻的特性参数 3.2.3 光敏电阻的变换电路 3.2.4 常用光敏电阻 3.2.5 小结 3.2.4 应用实例 光敏电阻演示 当光敏电阻受到光照时，光生电子—空穴对增加，阻值减小，电流增大。 M1的理解 如何提高M 二. 光敏电阻的基本结构 （a）梳状结构：梳形电极间距很小，之间为光敏电阻材料，灵敏度高。 （b）蛇形结构：光敏面为蛇形，两侧为金属导电材料，并在其上设置电极。 （c）刻线式结构：在制备好的光敏电阻衬基上刻出狭窄的光敏材料条，再蒸涂金属电极。 光敏电阻实物图 当光敏电阻受到光照时， 阻值减小。 三. 噪声特性 2. 噪声对偏流的影响 四.伏安特性 八. 响应时间和频率响应 光电流IΦ随时间变化的规律为 光电流变化的规律为 例：高阻PC探测器的恒流偏置电路 例：硫化铅（PbS）PC探测器的恒压偏置 判断电路的偏置方式 3.2.4 常用光敏电阻 二.PbS光敏电阻 三.InSb光敏电阻 四. Hg1-xCdxTe系列光电导探测器件 实例一 实例二 3.2.5 小结 怎样检查光敏电阻的好坏 光敏电阻的好坏可用万用表测量。当没有光照在光敏电阻上时，光敏电阻的阻值应在1MΩ以上，当有较强光照在光敏电阻上时，光敏电阻的阻值应在10kΩ以下。一般光敏电阻的电阻值不受光照时是受光照射时的100～1000倍。 3.2.6 应用举例 二、火焰探测报警器 三、照相机电子快门 光谱响应范围宽， 无极性之分, 价格便宜, 强光照射下线性较差， 频率特性也较差。 ? 光敏电阻的重要特点是： 光敏电阻按光谱范围可分为紫外、可见光、红外；按晶体结构分为单晶和多晶；按制作工艺分为薄膜烧结型和真空蒸镀型。 　几种常用的光敏电阻 光敏电阻 紫外 硫化镉(CdS)和硒化镉(CdSe) 可见 硫化铊(TiS)、硫化镉(CdS)和硒化镉(CdSe) 红外 硫化铅(PbS)、碲化铅(PbTe)、 锑化铟(InSb)、碲汞镉（Hg1-xCdxTe） 光敏电阻常用光电导材料 一、CdS光敏电阻 CdS光敏电阻是最常见的光敏电阻，它的光谱响应特性最接近人眼光谱光视效率，它在可见光波段范围内的灵敏度最高，因此，被广泛地应用于灯光的自动控制，照相机的自动测光等。 CdS光敏电阻的峰值响应波长为0.52μm，CdSe光敏电阻为0.72μm，一般调整S和Se的比例，可使Cd（S，Se）光敏电阻的峰值响应波长大致控制在0.52~0.72μm范围内。 CdS光敏电阻的光敏面常为蛇形光敏面结构。 PbS光敏电阻是近红外波段最灵敏的光电导器件。特别是在2μm附近的红外辐射的探测灵敏度很高，因此，常用于火灾的探测等领域。 PbS光敏电阻的光谱响应和比探测率等特性与工作温度有关，随着工作温度的降低其峰值响应波长和长波长将向长波方向延伸，且比探测率D*增加。 例如，室温下的PbS光敏电阻的光谱响应范围为1~3.5μm，峰值波长为2.4μm，峰值比探测率D*高达1×1011cm·Hz·W-1。当温度降低到（195K）时，光谱响应范围为1~4μm，峰值响应波长移到2.8μm，峰值波长的比探测率D*也增高到2×1011cm·Hz·W-1。 InSb光敏电阻是3~5μm光谱范围内的主要探测器件之一。 InSb材料不仅适用于制造单元探测器件，也适宜制造阵列红外探测器件。 InSb光敏电阻在室温下的长波长可达7.5μm，峰值波长在6μm附近，比探测率D*约为1×1011cm·Hz·W-1。当温度降低到77K（液氮）时，其长波长由7.5μm缩短到5.5μm，峰值波长也将移至5μm，恰为大气的窗口范围，峰值比探测率D*升高到2×1011cm·Hz·W-1。 Hg1-xCdxTe系列光电导探测器件（CMT或MCT）是目前所有红外探测器中性能最优良最有前途的探测器件，尤其是对于4~8μm大气窗口波段辐射的探测更为重要。 Hg1-xCdxTe系列光电导体是由HgTe和CdTe两种材料的晶体混合制造的，其中x标明Cd元素含量