FLASH的基本知识,教程.ppt

什么叫NAND flash NAND flash是东芝公司开发的一种非易失闪存技术，具较高的单元密度，可以达到高存储密度，写入和擦除速度较快。NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，具有很快的写入和擦除速度，主要功能是存储资料，目前广范应用在各类数码产品中。 什么是晶圆 晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液内掺入一小粒的硅晶体晶种，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗小晶粒在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过研磨，抛光，切片后，即成为积体电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。 什么是FLASH制程 通常我们所说的19nm、20nm、21nm、24nm、34nm、43nm、56nm、70nm、90nm就是指FALSH的制程工艺。 FLASH的“制作工艺”指得是在生产FLASH过程中，要进行加工各种电路和电子元件，制造导线连接各个元器件。通常其生产的精度以微米（长度单位，1微米等于千分之一毫米）来表示（1纳米等于千分之一微米） ，未来发展的精度越高，生产工艺越先进。在同样的材料中可以制造更多的电子元件，连接线也越细，提高集成度，提高处理器的制造工艺具有重大的意义，更先进的制造工艺会使FALSH的核心面积进一步减小，也就是说在相同面积的晶圆上可以制造出更多的产品 什么是flash的型号及ID 时常有人说到FLASH的型号，这个型号就所对应着各个FLASH的ID。 Wafer在生产时会跟据生产参数写入一个数字标识，这个标就是我们的ID。这个ID同样参数的产品也会因为会根据各位厂商的定议方式不同而不样。一般情况下这个ID由6*2组数字或字母组成。在PC上就是就是靠ID识别各各FLASH。如：TC58NVG5D2FTA00(98,D7,94,32,76，D5),TC58NVG5D2FTA00是东芝TSOP FLASH的型号，98 D7 94 32 76 56 D5是识别这个型号的ID，是唯一的。 FLASH类型 TSOP (12*20)最常用的；TSOP(14*18)L85常见；BGA152(14*18,12*18);BGA132(14*18,12*18)；BGA224(14*18);BGA100(12*20);LGA52(14*18,12*20);LGA60(14*18,12*20);TF（micrSD)卡类（3*7,4*6,5*6点位）；M2卡类（3*6点位）；sipSD卡（3*7点位）；MSPD卡（3*11点位）；COB(FLASH晶圆邦定在PCB上，滴上黑色树脂）；iNAND卡读晶圆（44点）；iNAND读卡（125点）等。 FLASH的标识方法 Micron Intel Samsung 东芝 SANDISK SDTNQGAMA-008G SDTN为闪迪芯片 Q是19nm G是MLC A是1CE M未知 A是8位芯片 Hynix 三星 东芝 英特尔 现代 镁光 SLC MLC与TLC 什么是SLC、MLC和TLC 什么是SLC? SLC=Single-LevelCell，即1bit/cell，代表1个存储器储存单元可存放1位元,SLC架构是0和1两个值，速度快寿命长，价格超贵（约MLC3倍以上的价格），约10万次擦写寿命什么是TLC 什么是MLC? MLC=Multi-LevelCell，即2bit/cell，代表1个存储器储存单元可存放2位元,MLC架构可以一次储存4个以上的值,速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命 TLC的英文全称是（Trinary-Level-Cell),即3bit/cell，代表1个存储器储存单元可存放3位元,MLC架构可以一次储存8个以上的值，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。 SLC 、MLC和TLC品质比较 1、使用寿命 SLC闪存约可以反复读写10万次左右，而MLC约3000---10000次，TLC约500次擦写寿命。 2、读写速度 在相同条件下，SLC速度最快，理论上约MLC 3倍以上；TLC最慢。 3、能耗 MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗;TLC工作电流最大。 4、容量 同样的单位面积MLC比