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烧结过程原理培训 万柳斌 工艺整合组 报告目录 正银简介 正银烧结出 正银简介 作用：输出电流； 正面选择银浆主要是综合考虑耐高温烧结，良好的导电性能及附着力，以及贵金属成本等因素； 正面栅线的主成：①、主栅：焊接后起传导输送电流的作用；②、副栅：收集载流子的作用； 能与硅形成牢固的接触，并且化学稳定性好； 熔点：961.78°C，电阻率1.586X10^-8?·cm 银浆的烧结过程 1、网印正银在硅片上： 银浆掺有含铅的硼酸玻璃粉（PbO-B2O3-SiO glass frit），在高温烧结时玻璃粉硼酸成分与氮化硅反应并刻蚀穿透氮化硅薄膜，此时银可以渗入其下方并与硅形成此种局部区域性的电性接触，铅的作用是银-铅-硅共熔而降低银的熔点。 2、有机物挥发，正银中的玻璃成份在加热到450度时开始融化。 3、熔融的玻璃体开始蚀刻SiN层，Ag则渐渐融入熔融的玻璃中： 银浆的烧结过程 标题 4、在670-700°C，玻璃体开始蚀刻SiN层膜后，开始溶蚀Si的表层（emitter），产生腐蚀坑： PbO+Si Pb+SiO2 5、在冷却时，熔融玻璃中过量的Ag析出成Ag颗粒，并嵌入在Si的表面，于腐蚀坑处结晶形成电流传导的途径 烧结曲线过程 1、Drying：在150°C干燥时先挥发掉胶料中所有的溶剂，否则在高温烧结时 溶剂产生的气泡将会