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第一章 常用半导体器件 §1 半导体基础知识 一、本征半导体 2、本征半导体的结构 3、本征半导体中的两种载流子 二、杂质半导体 1. N型半导体 2. P型半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 PN 结的形成 PN 结的单向导电性 四、PN 结的电容效应 问题 为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善导电性能？ 为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？ 为什么半导体器件有最高工作频率？ §2 半导体二极管（Diode） 一、二极管的组成 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 利用Multisim测试二极管伏安特性 从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性 三、二极管的等效电路 2. 微变等效电路 四、二极管的主要参数 最大整流电流IF：最大平均值 最大反向工作电压UR：最大瞬时值 反向电流 IR：即IS 最高工作频率fM：因PN结有电容效应 讨论：解决两个问题 如何判断二极管的工作状态？ 什么情况下应选用二极管的什么等效电路？ 二极管的击穿p16 齐纳击穿：高掺杂时，耗尽层窄，不大的反向电压直接破坏共价键使电流激增 雪崩击穿：低掺杂，较大的反向电压使耗尽层的少子加快漂移，与共价键中的价电子相碰，把价电子撞出共价键，产生电子空穴对，又经电场加速，又撞出其他价电