薄膜物理与技术-3 薄膜的化学制备工艺学.pptVIP

* * * * * * * * * * * * 单分子层的转移（沉积） 根据薄膜分子在基片上的相对取向，LB薄膜结构可分为X型、Y型、Z型三种类型。 3.4 溶液化学镀膜方法 3.4.3 LB技术 3 薄膜制备的化学工艺学 只有基片进入水面时才有膜沉积，LB薄膜每层分子的亲油基指向基片表面。 3.4 溶液化学镀膜方法 3.4.3 LB技术 3 薄膜制备的化学工艺学 基片每次进出水面时都有分子沉积。LB薄膜每层分子的亲水基与亲水基相连，亲油基与亲油基相连。 只有基片拉出水面时才有膜沉积，LB薄膜每层分子的亲水基指向基片表面。 3.4 溶液化学镀膜方法 3.4.3 LB技术 3 薄膜制备的化学工艺学 LB薄膜的特点 优点： LB薄膜中分子有序定向排列，这是一个重要特点； 很多材料都可以用LB技术成膜， LB膜有单分子层组成，它的厚度取决于分子大小和分子的层数； 通过严格控制条件，可以得到均匀、致密和缺陷密度很低的LB薄膜； 设备简单，操作方便。 3.4 溶液化学镀膜方法 3.4.3 LB技术 3 薄膜制备的化学工艺学 缺点： 成膜效率低， LB薄膜均为有机薄膜，包含了有机材料的弱点； LB薄膜厚度很薄，在薄膜表征手段方面难度较大。 3.4 溶液化学镀膜方法 3.4.3 LB技术 3 薄膜制备的化学工艺学 习题和思考题 1、化学方法制备薄膜的主要特征是什么？基本分类如何？ 2、CVD的概念及制膜的4个主要阶段。 3、举例说明CVD的六种主要化学反应类型。 4、分析对比激光辅助CVD、光化学气相沉积和 PECVD的异同点。 5、什么是化学镀？它与化学沉积镀膜的区别？ 6、自催化镀膜的特点？ 7、Sol-Gel镀膜技术的特点和主要过程？ 8、阳极氧化镀膜和电镀的原理和特点？ 9、什么是LB技术？LB薄膜的种类？LB薄膜的特点？ 3 薄膜制备的化学工艺学 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 七、 化学合成反应 3.2 化学气相沉积（CVD） 3.2.1 CVD的主要化学反应类型 3 薄膜制备的化学工艺学 3.2 化学气相沉积（CVD） 3.2.2 CVD化学反应和沉积原理 一、反应过程【以TiCl4(g)+CH4(g)?TiC(s)+4HCl(g)为例说明】 ■ 各种气体反应物流动进入扩散层； ■ 第①步（甲烷分解）：CH4 ? C + H2 ■ 第②步（Ti的还原）：H2+TiCl4 ? Ti + HCl ■ 第③步（游离Ti、C原子化合形成TiC）：Ti + C ? TiC 二、CVD形成薄膜的一般过程： 1）反应气体向基片表面扩散；2）反应物气体吸附到基片；3）反应物发生反应；4）反应产物表面析出、扩散、分离；5）反应产物向固相中扩散，形成固溶体、化合物。 注意： 1）反应应在扩散层内进行，否则会生成气相均质核，固相产物会以粉末形态析出； 2）提高温度梯度和浓度梯度，可以提高新相的形核能力； 3 薄膜制备的化学工艺学 3.2 化学气相沉积（CVD） 3.2.3 CVD沉积装置 一、概述： 1）基本系统构成： 2）最关键的物理量： Why？ 二者决定：薄膜沉积过程中的 ? 进而决定获得的是 薄膜！ 3 薄膜制备的化学工艺学 一、概述： 3）分类： 3.2 化学气相沉积（CVD） 3.2.3 CVD沉积装置 3 薄膜制备的化学工艺学 3.2 化学气相沉积（CVD） 3.2.3 CVD沉积装置 3 薄膜制备的化学工艺学 所有反应体系需满足三个条件： （1）在沉积温度下，反应物必须有足够高的蒸汽压，要保证能以适当速度被引入反应室； （2）反应产物除了所需要的沉积物为固态薄膜之外，其他反应物必须是挥发性的； （3）沉积薄膜本身必须有足够低的蒸汽压，以保证沉积的薄膜在整个沉积反应过程中都能保持在受热的基体上；基体材料在沉积温度下的蒸汽压也必须足够低。 二、高温和低温CVD装置： 1）选用原则： 2）高温CVD的加热装置：一般可分为电阻加热、感应加热和红外辐射加热三类。 a – 电阻加热 b – 感应加热 c – 红外加热 典型的CVD加热装置示意图 3.2 化学气相沉积（CVD） 3.2.3 CVD沉积装置 3 薄膜制备的化学工艺学 二、高温和