光电探测-3.2（zm2011）光电导探测器教案.pptVIP

3.2 光电导探测器(PC-Photoconductive) 某些物质吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸收，从而改变了物质电导率的现象称为物质的光电导效应。利用具有光电导效应的材料（如硅、锗等本征半导体与杂质半导体，硫化镉、硒化镉、氧化铅等）可以制成电导随入射光度量变化的器件，称为光电导器件。最典型的光电导器件是光敏电阻。 3.2.1 光敏电阻的工作原理和结构 3.2.2 光敏电阻的特性参数 3.2.3 光敏电阻的变换电路 3.2.4 常用光敏电阻 3.2.5 小结 3.2.4 应用实例 光敏电阻演示 当光敏电阻受到光照时，光生电子—空穴对增加，阻值减小，电流增大。 M1的理解 如何提高M 二. 光敏电阻的基本结构 （a）梳状结构：梳形电极间距很小，之间为光敏电阻材料，灵敏度高。 （b）蛇形结构：光敏面为蛇形，两侧为金属导电材料，并在其上设置电极。 （c）刻线式结构：在制备好的光敏电阻衬基上刻出狭窄的光敏材料条，再蒸涂金属电极。 光敏电阻实物图 当光敏电阻受到光照时， 阻值减小。 三. 噪声特性 2. 噪声对偏流的影响 四.伏安特性 八. 响应时间和频率响应 光电流IΦ随时间变化的规律为 光电流变化的规律为 例：高阻PC探测器的恒流偏置电路 例：硫化铅（PbS）PC探测器的恒