晶体制备二剖析.pptVIP

生长机理 主要的有用金属催化剂制备一维纳米材料的VLS 机理 不用催化剂的VS 机理 用固体衬底作为原料的SLS 机理 前驱体辅助机理 生长条件 原料、蒸发温度、收集温度、有无催化剂及种类、压强以及载气 溅射法 原理 在阴极(靶材)、阳极之间施加上百伏的直流电压，使处于两极之间的气体（惰性气体或其它气体）产生辉光放电，放电中的阳离子在外场作用下向阴极撞击，靶材的原子由表面蒸发出来，被惰性气体冷却而凝结或与活性气体反应而形成纳米微粒 特点 无须坩埚 靶材可以上下、两侧放置 靶材可为高熔点材料 通过改变靶材面积提高反应速度 可制备纳米化合物 可制备纳米颗粒薄膜 由于靶材和温度的原因，一般用来制备薄膜材料，很少被用来制备一维纳米材料，目前只有在纳米硼丝的制备上是比较成功的 END 奇克劳斯基法 (直拉法) 高纯硅的制备 1,硅是第四族元素，具有银白色金属光泽，其晶体硬而脆 2,硅在地壳中含量27% ，仅次于氧 3, 来源:石英砂和硅酸盐 4,95%-99%的硅称为粗硅或工业硅 是用石英砂与焦炭在碳电极地电弧炉中还原制得的，主要杂质为铁，铝，碳，硼，铜等 反应式 reaction equation 冶金级硅的提纯：化学提纯和物理提纯 化学提纯 三氯氢硅法 硅烷法 物理提纯 络合物形成法 固体吸附法 部分水分解法 精馏法(常用的) 主要反应 副反应 三氯氢硅