财团法人国家实验研究院晶片系统设计中心.docVIP

財團法人國家實驗研究院晶片系統設計中心 Load-Pull Measurement System使用申請表 預約日期： 申請者： 學校單位： 連絡電話： E-mail： 指導教授： 一、使用製程： CIC提供製程 □(1)UMC 0.18um 1P6M CMOS □(2)TSMC 0.13um CMOS □(3)TSMC 0.18um 1P6M CMOS □(4)TSMC 0.35um 2P4M Mixed-mode □(5)TSMC 0.25um 1P5M CMOS □(6)TSMC 0.35um 3P3M SiGe BiCMOS □(7)GCT 2.0um HBT □(8)WIN 0.15um PHEMT □MEMS製程 非CIC提供製程 □其他 二、量測種類 (勾選量測電路的種類) (1) Active Device（Power-Cell）( □MOSFET □BJT □PHEMT □HBT□ (2) Circuit ( □LNA □PA □其他 三、量測選項(可複選) (1)量測頻率 □2.4GHz □5.2GHz □5.7GHz □其他 (2)量測參數 □DC I-V Curve □ S Parameter（ ） □Source-Pull □Load-Pull □Output Power □Gt(Power Gain) □Power Efficiency □Power Sweep □Bias Sweep Power □P1dB □其他 四、量測形式 □PCB Measurement □On Wafer Measurement □On Wafer Measurement Bias Network on Board 五、直流偏壓設定 Bias Mode：□V_out, I_out □V_out, V_in □V_out, I_in □V_out only □None Input Bias Control：□Current □Voltage Specify Quiescent Bias：V_out ________ Volts I_in ________ mA V_in _______ Volts I_out _______ mA Bias Limits：I_out(max) ________ mA I_in ________ mA V_in _________ Volts Bias Sweep Variable：□I_in □V_out 六、預計量測項目之模擬圖形(CIC將依據模擬範圍完成量測結果) 七、Layout圖(須標示RF n、RF ut、DC位置圖) 八、其他量測要求(若無則不需填寫) 財團法人國家實驗研究院國家晶片系統設計中心 Load-Pull Measurement System使用申請表 【範例1】 預約日期： 050401 申請者： ****** 學校單位： ****** 連絡電話： ****** E-mail： ****** 指導教授： ****** 一、使用製程： CIC提供製程□(1)UMC 0.18um 1P6M CMOS □(2)TSMC 0.13um CMOS □(3)TSMC 0.18um 1P6M CMOS □(4)TSMC 0.35um 2P4M Mixed-mode □(5)TSMC 0.25um 1P5M CMOS ■(6)TSMC 0.35um 3P3M SiGe BiCMOS □(7)GCT 2.0um HBT □(8)WIN 0.15um PHEMT □MEMS製程 非CIC提供製程□其他 二、量測種類 (勾選量測電路的種類) (1) Active Device（Power-Cell）( □MOSFET □BJT □PHEMTHBT□其他 (2) Circuit ( □LNA □PA □其他 三、量測選項(可複選) (1)量測頻率 □2.4GHz ■5.2GHz □5.7GHz □其他 (2)量測參數 ■DC I-V Curve(必選) ■S Parameter（z~6.5GHz ） ■Source-Pull ■Load-Pull ■O