实验二十二 霍尔效应测量磁场.docxVIP

云南大学物理实验教学中心 实验报告 课程名称： 普通物理实验 实验项目：实验二十二 用霍耳元件测磁场 学生姓名： 马晓娇 学号： 20131050137 物理科学技术 学院 物理 系 2013 级 天文菁英班 专业 成绩 指导老师：何俊 试验时间：2015 年 9 月 17 日 13 时 00 分至 18 时 00 分 实验地点：物理科学技术学院 实验类型：教学 (演示□ 验证□ 综合□ 设计□) 学生科研□ 课外开放□ 测试□ 其它□ 一、实验目的 1. 理解霍耳效应的物理意义。 2.了解霍耳元件的实际应用。 3.学会对半导体导电类型的判断方法，掌握测量半导体材料的霍耳系数和测量电磁铁磁感应强度的实验方法。 二、实验原理 1.霍耳效应 当电流垂直于外磁场通过导体时，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差。 在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴（在固体物理学中指共价键上流失一个电子，最后在共价键上留下空位的现象。即共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴）之间会产生电场，电场强度与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集，此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移，这个现象称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。 具体解释： 将霍耳元件放入磁场中，由霍耳效应现象，可以得到霍耳电压VH与磁感应强度B、工作电流Ix以及霍耳元件灵敏度KH之间的关系： （4-18-2） 式中，，其中为霍耳系数， d为霍耳元件的厚度，n为载流子的浓度，e为电子电荷。 若用电场强度表示，则在Y方向有 （4-18-3） 式中，jx为x方向电流密度。 霍耳元件一般为矩形薄片，为了克服短路效应，要求长与宽之比大于2。霍耳元件可以制成六电极薄片，如图4-18-5所示。薄片长为b，宽为2a，厚度为d；图中A、B、C、D为电位电极；F、E为电流电极。 在X方向（F、E极之间）通工作电流Ix，则电流密度为，若 测出电位差VBA或VDC，根据欧姆定律 j =σE，E为电场强度，可以计算出电 导率σ： （4-18-4） 分别测量电位差VBA和VDC，则 （4-18-5） （4-18-6） 取平均值，得 （4-18-7） 测量电位差VBD，并利用式子（4-18-3），得 （4-18-8） 式中，VBD即为霍耳电压。Ix、B、d为已知量，测出霍耳电压VBD，则可以计算出霍耳系数RH。 根据RH可以进一步确定以下参数： ⑴ 由RH的符号（或霍耳电压VH的正负）判断霍耳元件的导电类型。按图4-18-4所示的Ix和B的方向，若测得的VH＜0（D点的电位低于B点的电位），则VH为负，霍耳元件属于N型，反之为P形。 ⑵ 由RH求载流子浓度n，即。应该指出，这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。若考虑载流子的速度统计分布，需引入修正因子。 ⑶ 结合电导率σ的测量，求载流子的迁移率μ。电导率σ与载流子浓度n以及迁移率μ之间有如下关系 （4-18-9） 既，测出σ值，即可求得μ。 2. 霍耳效应中的负效应及其消除方法 上面的推导是从理想情况出发的，实际情况要复杂的 多，产生上述霍耳效应的同时还伴随产生四种负效应，使 霍耳电压VH的测量产生系统误差。 ⑴ 厄廷豪森效应引起的电势差VE。 由于电子实际上并非以同一速度沿y轴负向运动，速度大的电子回转半径大，能较快地到达接点3的侧面，如图4-18-5所示，从而导致3侧面较4侧面集中较多能量高的电子，结果3、4侧面出现温差，产生温差电动势VE。可以证明，VE∝IB。容易理解VE的正负与I和B的方向有关。 ⑵ 能斯脱效应引起的电势差VN。焊点1、2之间接触电阻可能不同，通电发热程度不同，故1、2两点之间的温度可能不同，于是引起热扩散电流。与霍耳效应类似，该热扩散电流也会在3、4点之间形成电势差VN。若只考虑接触电阻的差异，则VN的方向仅与B的方向有关。 ⑶ 里纪-勒杜克效应产