第九章 半导体异质结.pptVIP

三、穿通势垒尖的隧道模型 隧道模型：势垒尖的厚度有限，电子无须具有高出整个“尖峰顶”的能量就能够以隧穿的方式由N区进入P区。 隧道模型的隧穿电流等于隧穿几率与入射电子流的乘积，可表示为： 式中： T为隧穿几率； JS(T)是与温度有微弱关系的常数； A是与温度无关的常数； Va为外加偏压。 三、穿通势垒尖的隧道模型 从图中看出，在N区中只有能量达到三角形势垒底部的电子才有可能以隧道的方式穿透势垒尖而进入P区，所以，当正向电压较小时，只有少量的电子能达到势垒尖区，总电流受热电子发射电流的限制，其数值较小；当正向电压很大时，大量电子都能到达势垒尖区，总电流受隧道效应的限制。 在异质结的正向伏安特性曲线上存在一个转折点，在转折点的左边，曲线的斜率与温度有关，是热电子发射或扩散机制；在转折点右边，曲线的斜率与温度无关，是隧道机制。 三、穿通势垒尖的隧道模型 在实际计算中还应考虑能带结构对于I-V特性的影响，如： (1)积累层的作用； (2) S形伏安特性。实质上S形伏安特性是耿氏谷间散射的逆过程。 (3)界面态的影响。当界面态密度较小时，界面态作为复合中心； 当界面态密度较大时，它将改变能带的形状，形成背对背串联的肖特基二极管结构。 谢 谢 二、计入界面态的影响 2、界面态密度很大 当半导体表面存在足够大的界面态时，半导体表面的状态完全由界面态电荷决定，与功函数等没有关系。 ⑴ 当表面态为施主态时：（被电子占据时呈电中性，释放电子后呈正电性） 对于n型半导体： 在半导体表面处形成很薄的多子积累层。 二、计入界面态的影响 对于P型半导体： 在半导体表面形成耗尽层，层内电荷为电离受主。该耗尽层很厚，其厚度由掺杂浓度决定。 二、计入界面态的影响 ⑵ 当表面态为受主态时：（能级空着时呈电中性，接受电子后带负电） 对于n型半导体： 在半导体表面处形成很厚的耗尽层，层内电荷为电离施主。厚度由掺杂浓度决定。 二、计入界面态的影响 对于P型半导体： 在半导体表面处形成很薄的多子积累层。 二、计入界面态的影响 对异质结来说，当界面态密度很大，且为施主态时，这些施主态电离后使界面带正电荷，则pN(图a)、nP(图b)、pP(图c)异质结的能带结构如下图所示： 二、计入界面态的影响 当界面态密度很大，且为受主态时，这些受主态被电离后使界面带负电荷，则pN、nP、nN异质结的能带结构如下图所示： 二、计入界面态的影响 界面态不同，在界面形成的势垒也不同，此时界面态起决定性的作用，而界面两侧半导体材料的固有性质（如功函数、电子亲和能、介电常数等）对界面势垒没有影响，这是由于界面态上大量电荷的屏蔽作用所致。 三、突变反型异质结的接触电势差 设：构成异质结的两种半导体材料即P型和N型中的杂质都是均匀分布的，其浓度分别为NA1和ND2，势垒区的正、负空间电荷区的宽度分别为： d1 = x0 — x1 d2 = x2 — x0 取 x = x0 为交界面处坐标。泊松方程为： 式中， 、 分别为P型及N型半导体的介电常数。 、 三、突变反型异质结的接触电势差 积分并根据边界条件可得到两边空间电荷区内的电势分布V1(x)、V2(x) 1、无外加电压时 由V1(x0)=V2(x0)可得到接触电势差： 势垒区宽度： 在交界面两侧，两种半导体势垒区宽度分别为： 耗尽区总电荷量为： 三、突变反型异质结的接触电势差 2、外加电压V时 三、突变反型异质结的接触电势差 单位面积异质结的电容为 以上各式只要将下标1与2互换，就可用于突变NP异质结。 耗尽区总电荷量为： 四、突变同型异质结的接触电势差 对于突变同型异质结（nn结），窄禁带一侧是多子积累层，而宽禁带一侧是耗尽层。 1、无外加电压时 求解泊松方程可得到： 2、有外加偏压时 只要用 (VD — V)、(VD1 — V1)、(VD2 — V2) 代替上式中的 VD、VD1、VD2 即可。 同理，将上式中的施主杂质浓度改为受主杂质浓度，即可得到用于PP结的对应公式。 四、突变同型异质结的接触电势差 9.3 异质PN结的注入特性 一、异质PN结的高注入比特性 利用扩散模型可以获得异质PN结的电子电流密度Jn和空穴电流密度Jp的表达式，将Jn和Jp取比值得到异质结的注入比。 人们针对不同的异质结构，提出了多种异质结伏安特性的模型，如：扩散模型、热电子发射模型、隧道模型、发射-复合模型、隧道-复合模型、扩散-发射模型等等。 稳态情况下，p型半导体中注入的少子电子运动遵守的连续性方程为