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09华侨大学模拟电子技术基础试卷.doc

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09华侨大学模拟电子技术基础试卷

华 侨 大 学 模拟电子技术基础 试 卷 09秋a 级/系/班 考试日期 姓名 学号 一、填空:30分, 每空1分。 1、三极管能起放大作用的内部条件是:基区掺杂质浓度比发射区杂质浓度 高 (低/高),基区宽度 窄 (宽/窄),集电结面积比发射结面积 大 (大/小/相等)。 2、电路如图,图中LR是红灯、LG是绿灯、vS为频率较高的交流电源。 开关S扳至1位置,则 红 二极管被击穿 灯亮, 开关S扳至2位置,则 红 灯亮, 开关S扳至3位置,则 红 灯亮。 3、共射、共集、共基三种放大电路中,同时具有电流和电压放大倍数的是 共射 电路;输入电阻最大的是 共集 电路;高频特性最好的是 共基 电路。 4、采用电容耦合的多级放大电路只能放大 交流 信号。集成运算放大器 ( 能/不能) 能 放大直流信号。 5.在双端输入、输出的理想差分放大电路中,若两输入电压Vi1 Vi2,则输出电压Vo ,若Vi1 +1000μV,Vi2 +500μV,则可知差动放大电路的输入差值电压Vid 。 6、在如图所示的典型差分放大电路中, 为了提高共模抑制比,通常用 负反馈 电路代替Re。 7、负反馈电路的1+AF 1时称为 深度 负反馈,此时电路的放大倍数Auf ≈ 1 。 8、引入电压负反馈能稳定输出 电压 内阻低 ,引入电流负反馈能稳定输出 电流 内阻高 。如下图所示,已知集成运放输出电压最大幅度为±14V,当电位器RP滑动点调至最上端,输出电压为 ___1_____V,滑动点调至最下端,输出电压为 V。 9、积分电路能把方波变为 三角波 ,能把正弦波变为 方波 。 10、振荡的平衡条件是 ,产生低频正弦波一般可用 振荡器;产生高频正弦波可用 振荡器;频率稳定性要求很高时,则可用 振荡器。 11、单相桥式整流电路中,变压器副边交流电压U2 10V,则整流电路输出的平均电压为 二分之根号二x 10 。 12、某放大电路的对数幅频特性如下图所示,试求: (1)中频电压放大倍数 80 倍; (2)实际上在fL和fH处仅为 20 dB 13、在OCL乙类功率放大电路中,若最大输出功率为1W,则电路中功放管的集电极最大功耗为 。 二、选择题:20分,每题1分。 1、某二极管的反向饱和电流在温度为20时是2μA,则当温度是60时其反向饱和电流为( )。 温度升高十度则饱和电流翻一番,正向电压降2-2.5度 A.6μA B.8μA C.16μA D.32μA 测得放大电路中的某三极管三个极的电位分别如图所示 2、则a管是 A.NPN型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型硅管 D.PNP型锗管 3、则b管是 a b A.NPN型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型硅管 D.PNP型锗管 4、对于共集电极放大电路,下列说法正确的是 输入电阻高,Au小于1 输入电阻小,Au小于1 输出电阻高,Au小于1 输出电阻高,Au 1 5、下列四个电路中,不可能工作于放大状态的是( A ) 6、如图所示的电路是( )。 A.同相输入放大器 B.滞回比较器 C.单限比较器 D.文氏桥式振荡 7、如图所式的复合管,设T1及T2管的β值分别为 β1和β2,则其复合管的β约为( )。 A. β β1+β2 B. β β1 T2 C. β β2 D. β≈β1β2 T11 8、如图所示的输出特性曲线、负载线图解中,静态 工作点Q1~Q4中最易引起饱和失真的是( )。 A.Q1 B.Q2 C.Q3 D.Q4 9、下列四个电路元件符号中,表示P沟道增强型FET的是( )。 10、某三级放大电路,电压放大倍数分别为50、20、10,则电路的电压总增益为( )。 A. 10dB B. 20dB C.50dB D.80dB 11、某发光二极管用作通电指示,其流过的电流I必须:5mA I 15mA,正向压降约2V,则下列接法及限流电阻取值均正确的是( B )。 12、对理想集成运算放大器,下列说法正确的是( ) 高差模放大倍数,高共模抑制比,高输入电阻,低输出电阻 A. KCMR→∞,Aud→∞ B. KCMR→∞,Ro→∞ C. KCMR→∞, Aud→0 D. KCMR→0, Ro→∞ 13、如右图所示的电路是( )电路。 A. 电压并联负反馈 B.电流串联负反馈 C. 电压串联负反馈 D.电流并联负反馈 14、已知某电路输入电压和输出电压的波形如下图所示,该电路可能是 A. 积分运算电路 B.

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