ddr2-设计注意事项.doc

DDR2设计说明： 1 芯片选择：MT47H64M16HR-37E 2 管脚分配： 单片DDR2占用管脚资源如下表，一片需要一个FPGA BANK： 管脚数目 占用BANK 特殊要求 数据线 16 1 DQS 4 1 需要连在CC_LC管脚 地址线 13 1 控制线 11 1 时钟clk 2 1 需要连在CC_LC管脚 将DDR2 SDRAM的所有有关的数据线，地址线，控制线，时钟线，均连到FPGA的SSTL18_II电平的BANK上。 端接： SSTL18_II电平在Virtex5 的端接： 使用DCI的端接如下图： 具体电路的连接参照我们已经调通的一个板卡原理图设计。主要是：DDR2数据线、DQS信号等，与FPGA之间串接22欧姆电阻；对时钟、地址信号和控制信号通过47欧姆的电阻上拉至VTT(0.9V)，PCB设计上需要较多因素。 PCB布线顺序：数据线- 地址线- 控制线 - 时钟。其中数据线包括DQ/DQS/DM，它们都是在时钟的双沿发生操作。 PCB布线要点： 各种线的总长有要求； 时钟（差分对）除了等长（ 50mil），要需要25mil的安全距离。两个时钟CK之间相差100mil之内。 地址线不用等长，比时钟要长一些 控制线比时钟要长一些 每一个Data Group(8bits data + DQS + DM)在同一层走线。DDR2的数据线与DQS是源同步关系，等长处理。同组的数据线以DQS基准等长(50mil)。组与组之间的长度差不超过1000mil。DQS与CK之间的约束较弱，一般不考虑，长度差别不要超过1000mil就差不多。 地址/命令/控制信号与时钟是源同步的，走线长度匹配并不严格要求。 DDR2 SDRAM的供电参见电源章节。 还需要注意的是，需要把DQS信号都连接到IO_LxN_CC_LC的管脚上。本时钟信号CK是FPGA输出给DDR2。 2 供电 （1）VDD ＝ 1.8 V DDR2 SDRAM内存的电流消耗取决于其容量的大小以及运行的环境和速度。 根据Micron公司的数据手册（1GbDDR2.pdf），MT47H64M16HR-37E在Operating bank interleave read current下IDD的最大电流为350mA（颗粒是-187E，最大为520mA）。1.8V同时还给FPGA和PROM供电，决定采用LT1764来供电，最大输出电流是3A。 （2）VREF = 0.9V 基本上没有电流从DDR2的VREF管脚上流过，仅有微安级大小的漏电流。 （3）VTT ＝ 0.9V 地址、命令和控制信号需要端接，IO端接电压为0.9V。Micron公司的内存数据手册上没有明确说出此电压的消耗电流大小。参考了两块Demo板，它们用的电源模块输出电流分别是5A和2.8A。决定采用TPS74401供电，最大输出电流3A。 DDR??LAYOUT?? 注：转自/design/digital/ddr-layout-guide.html?jdfwkey=eccmn3 在现代高速数字电路的设计过程中，工程师总是不可避免的会与DDR或者DDR2，SDRAM打交道。DDR的工作频率很高，因此，DDR的布线（或者Layout）也就成为了一个十分关键的问题，很多时候，DDR的布线直接影响着信号完整性。下面本文针对DDR的布线问题（Layout）进行讨论。 信号引脚说明 VSS为数字地，VSSQ为信号地，若无特别说明，两者是等效的。VDD为器件内核供电，VDDDQ为器件的DQ和I/O供电，若无特别说明，两者是等效的。 对于DRAM来说，定义信号组如下： 数字信号组DQ，DQS，xDM，其中每个字节又是内部的一个信道Lane组，如DQ0~DQ7，DQS，LDM为一个信号组。 地址信号组：ADDRESS 命令信号组：CAS#，RAS#，WE# 控制信号组：CS#，CKE 时钟信号组：CK，CK# 印制电路板叠层，PCB Stackups 推荐使用6层电路板，分布如下： 电路板的阻抗控制在50~60ohm ?印制电路板的厚度选择为1.57mm(62mil) 填充材料Prepreg厚度可变化范围是4~6mil 电路板的填充材料的介电常数一般变化范围是3.6~4.5，它的数值随着频率，温度等因素变化。FR-4就是一种典型的介电材料，在100MHz时的平均介电常数为4.2。推荐使用FR-4作为PCB的填充材料，因为它便宜，更低的吸湿性能，更低的电导性。 一般来说，DQ，DQS和时钟信号线选择VSS作为参考平面，因为VSS比较稳定，不易受到干扰，地址/命令/控制信号线选择VDD作为参考平面，因为这些信号线本身就含有噪声。 电路板的可扩展性 根据JEDEC标准，不同容量的内存芯