1电子技术第1章11(二极管)W电子技术解说.ppt

第1章 半导体 1.1.3半导体二极管及其特性 半导体二极管的核心部分就是一个PN结。P区引出端叫正极(或阳极)，N区引出端叫负极(或阴极)。二极管一般采用文字符号“D”表示，箭头所指方向是PN结正向电流的方向，它表示二极管具有单向导电性。 基本结构 主要参数 1.1.4二极管的识别和简易检测方法 用万用表判断二极管的好坏:正向时电阻小;反向时电阻大。普通二极管的正向时电阻越小,反向时电阻越大性能越好。 指针式万用表(电阻档)的红表笔是电池负极,黑表笔是电池正极.数字式万用表刚好相反。 用指针式万用表R×100或R×1K档测量二极管,不同电阻档测量二极管时,电阻会有不同。数字式万用表不用电阻档测量。 例如:单相桥式整流电路变压器次级输出电压U2=6V，整流后接1KΩ的负载，那么负载上直流电流的平均值为多少? 解: UL=0.9U2=5.4V IL=UL/RL=5.4mA 例题1:某飞机仪表中需要2KV的直流电压，试求:分别利用二倍压、四倍压整流电路时，整流变压器的次级电压和整流二极管的最大反向电压。 例如:某负载电阻为20KΩ，需要5mA的直流电流，若采用四倍压整流电路，变压器次级输出电压约为多少 ? 解:UL=RL×IL=20×5=100V 4．二极管箝位电路 作业 并联型稳压电路如图。Ui=10V、稳压电压UZ=6V、R=100?，求： (1)电路空载时稳压管电流IZ和输出电压UO； (2)加上RL=400?的负载后，IZ、UL和负载电流IL； (3)加上RL=100?的负载后，IZ、UL和负载电流IL。 发光二极管广泛用来构成七段数字显示器可显示0到9的十个数字。有共阳极和共阴极连接的两种方法，R为限流电阻。 晶闸管关断两个条件： 1.晶闸管加反向电压； 2.晶闸管阳极电流小于其维持电流时。 两个条件满足一个即可关断晶闸管 2．变容二极管 变容二极管通常是由硅半导体材料制成，其特点是结电容随电压的变化而变化。变容二极管工作在反向截止状态，其结电容随着反向电压的增大而下降。 图1.1-31 变容二极管的符号和特性曲线 图1.1-31 变容二极管结构随反向偏压的变化 3．PIN二极管 在PIN二极管中，在两层半导体之间还有一层高阻的I(本征)型半导体，它是完全不掺杂的或极微量掺杂的N型半导体。 特性：在频率1MHz以下时，与常见的二极管相似。 在较高频率（约大于10MHz)时，PIN二极管不再具有单向导电性，就如同一个电阻，其阻值随导电电流的增大而减小。 在电视和天线放大器中,可实现无失真的幅度调节 4．肖特基二极管 肖特基二极管是利用金属-半导体的接触来代替PN结，在N型半导体与金属的界面中构成一个阻挡层。 图1.1-34 肖特基二极管 图1.1-35 肖特基二极管电荷分布 肖特基二极管与PN结差别： 肖特基二极管是依靠一种载流子工作的器件，消除了PN结中存在的少数载流子储存现象，因而适用于高频高速电路。 其次，省掉了P型半导体，因而有很低的正向电阻。 肖特基二极管中的阻挡层薄，相应的正向导通电压和反向击穿电压均较PN结低。 5．光电二极管 在光的照射下，某些半导体中受激发产生电子-空穴对，改变了半导体的导电能力。反之，在某些半导体中，当半导体中自由电子和空穴复合时，产生光的辐射，且不同的半导体材料，会辐射出不同颜色的光。例如，磷砷化镓(GaAsP)发红光或黄光，磷化镓(GaP)发红光或绿光，氮化镓(GaN)发蓝光，砷化镓(GaAs)发不可见的红外光等。 应用：利用上述光电转换可以制成各种光电二极管，例如发光二极管、光敏二极管和光电耦合器等。 （1）发光二极管 发光二极管(Light-Emitting Diode ，简写为 LED)是由电能转换为光能的一种半导体器件。 特性：当外加正偏电压时，P型半导体接电源的正极，N型半导体接电源的负极，N区中的多数载流子电子注入P区，并与其间的多数载流子空穴复合而发光。同理，P区中的多数载流子空穴注入N区，并与其间的电子复合而发光。 发光二极管的伏安特性与普通二极管相似，它的正向导通电压在1.35V到2.5V之间，其最高反向截止电压约在－3V与－6V之间。发光二极管的发光亮度随通过的正向电流成正比地增加，但正向电流过大时，亮度的增加趋缓。发光二极管的典型工作电流为10mA。 (1)单相半波整流电路 u2 0 时，二极管导通。 iL u1 u2 a T b D RL uL 忽略二极管正向压降： uL=u2 u1 u2 a T b D RL uL iL=0 u20时，