1a通用MOS模拟集成电路基础解说.ppt

MOSFET的沟道调制效应 L L’ MOS管沟道调制效应的Pspice仿真结果 VGS-VT=0.15V, W=100μ ?ID/?VDS∝λ/L∝1/L2 Ｌ=2μ Ｌ=6μ Ｌ=4μ 亚阈值效应（弱反型效应） 前面分析条件采用了强反型近似，即假定当mos管的VGS大于Vth时，表面产生反型，沟道立即形成，而当mos管的VGS小于Vth时，器件就会突然截止。 mos管的实际工作状态应用弱反型模型，即当VGS略小于Vth时，会产生一个弱反型层，mos管已开始导通，从而会产生由漏流向源的电流，称为亚阈值导通。 ID与VGS呈指数关系 其中ξ1是一非理想的因子；ID0为特征电流： m为工艺因子，因此ID0与工艺有关；而VT称为热电压： 亚阈值工作特点： 在亚阈值区的漏极电流与栅源电压之间呈指数关系，这与双极型晶体管相似。 亚阈值区的跨导为：　　　　　　　　　　　　　　　　　 由于ξ1，所以gmID/VT，即mos管的最大跨导比双极型晶体管（IC/VT）小。且根据跨导的定义，ID不变而增大器件宽度W可以提高跨导，但ID保持不变的条件是必须降低mos管的过驱动电压。 因此在亚阈值区域， 大器件宽度（存在大的寄生电容）或小的漏极电流的mos管具有较高的增益。 为了得到亚阈值区的mos管的大的跨导，其工作速度受限（大的器件尺寸引入了大的寄生电容）。 亚阈