模拟电路复习课.docVIP

?????? ? 一：掌握两种载流子、两种运动 、本征激发与复合等概念。 PN结的单向导电性。 ?????? 理解PN结的形成原理。 ?????? 掌握二极管的单向导电性、稳压管的稳压作用及它们的外特性。 ?????? 理解二极管主要参数的物理意义。 ?????? 会使用二极管等效模型。 二、二极管的伏安特性 半导体二极管的伏安特性曲线如P7图1.9所示，处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。 。当Ud0 当Ud0 1）正向特性：当V＞0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段： （1）当0＜V＜Uon时，正向电流为零，Uon称为死区电压或开启电压。 （2）当V＞Uon时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 开启电压：SI 0.7v, Ge 0.3v 2）反向特性：当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： （1）当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。 （2）当V≤VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。 从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7 V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿，当在4 V～7 V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。 稳压二极管：利用反向击穿状态下的恒压特性。通过工作在反向击穿状态，也可工作在正向导通和反向截止状态。 ? 三：掌握晶体管的放大作用；输入、输出特性；三个工作区的特点。 ?????? 理解主要参数的物理意义及温度的影响。 ?????? 掌握Q点、两种失真、交直流通路等概念。 ?????? 掌握放大电路的组成原则、工作原理及波形。 ?????? 熟练掌握放大电路的分析方法，会估算Q点、分析失真；会计算交流参数Au、Ri Ro ?????? 掌握Q点稳定的原理及典型电路的分析方法。 ?????? 理解多级放大电路的分析方法 ?????? 了解共基电路、共集放大电路的组成及分析方法。 2、BJT具有放大作用的内部条件和外部条件 1）BJT的内部条件为：BJT有三个区（发射区、集电区和基区）、两个PN结（发射结和集电结）、三个电极（发射极、集电极和基极）组成；并且发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，基区厚度很小。 2）BJT放大的外部条件为：发射结正偏，集电结反偏。 3、BJT的电流放大作用及电流分配关系 晶体管具有电流放大作用。当发射结正向偏置而集电结反向偏置时，从发射区注入到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合，形成基极电流，而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流IC，体现出IB对的IC控制作用。此时，可将IC看成电流IB控制的电流源。 三个重要的电流分配关系式： IE＝IB＋IC IC＝βIB＋ICEO≈βIB IC＝αIE＋ICBO≈αIE 3）晶体管工作在三种不同工作区外部的条件和特点 工作状态 NPN型 PNP型 特点 截止状态 E结、C结均反偏 VB＜VE、VB＜VC E结、C结均反偏 VB＞VE、VB＞VC IC ≈0 放大状态 E结正偏、C结均反偏 VC ＞VB ＞ VE E结正偏、C结均反偏 VC ＜VB ＜ VE IC ≈βIB 饱和状态 E结、C结均正偏 VB ＞VE、VB ＞VC E结、C结均正偏 VB ＜VE、VB ＜VC V CE＝V CES 1、直流通路、交流通路及其画法 （1）直流通路：在直流电源的作用下，直流电流流经的通路，用于求解静态工作点Q的值。 （2）直流通路的画法：电容视为开路、电感视为短路；信号源视为短路，但应保留内阻。 ? （3）交流通路：在输入信号作用下，交流信号流经的通路，用于研究和求解动态参数。 （4）交流通路的画法：耦合电容视为短路；无内阻直流电源视为短路； 四、放大电路的分析方法 1）静态分析就是求解静态工作点Q，在输入信号为零时，晶体管和场效应管各电极间的电流与电压就是Q点。可用估算法或图解法求解。 2）动态分析就是求解各动态参数和分析输出波形。通常，利用h参数等效电路计算小信号作用时的 、 和 。利用图解法分析 和失真情况。放大电路的分析应遵循“先静态、后动态”的原则，Q点不但影响电路输出是否失真，而且与动态参数密切相关。 三种放大电路的比较：（书53页） 共射级电路 共集级电路 共基级电路 放大倍数为负，且高 放大倍数小，约等于1 放大倍数高 又叫射级跟随器 多级放大电路的耦合方式：阻容耦合、变压器耦合、直接耦合的特点 放大电路的频率特性： 中频区：前面所有的分析都在中频区 高频区：