第4章光电测试常用器件及检测电路3要点.pptVIP

* ---恒流源特性 伏安特性 ---光敏二极管输入电路计算基础 * 2）计算方法 ① 图解计算法 U(I)---光敏二极管上的电压 ---非线性函数 * 横轴--- U=Ub; 纵轴----I=Ub/RL (斜率-1/RL) 负载线 Q（电路工作点）--- 负载线和对应于输入光通量为?0时的器件 伏安特性曲线的交点 输入光通量?0（???）--- 负载电阻RL（+?U 、??I ） * Ub=9V 输出交变电压幅值3v --- 负载电阻RL 负载线 暗电流 光通量： 0~150?lm （正弦变化） ---2?A 电流变化?I =(17-2)?A=15?A 交变光电流的幅值 所需负载电阻 (9,0) 负载线 工作点 * ② 解析计算法 折线化伏安特性 --- 转折点M处将曲线分作两个区域 --- 作直线与原曲线相切 --- M与O连线（线性工作部分） * 输入光通量变化范围?min ~ ?max已知 a) 确定线性工作区域 转折点M ---对应最大输入光通量?max的伏安特性曲线弯曲处 U0--- 转折点电压；G0---初始电导 线性段MN上： G--- 结间漏电导（线性区内各平行 直线的平均斜率） S--- 光电灵敏度 * b) 计算负载电阻和偏置电压 负载线和与?max对应的伏安特性曲线的交点不能低于转折点M --- 保证最大线性输入条件 已知Ub * c) 计算输出电压幅度 光通量：?min ?max 输出电压幅度 U0、Umax--- M、H点电流计算得到 H点： M点： --- 输入光通量的增量和光电灵敏度成正比，与结间漏电导和负载电导成反比 * d) 计算输出电流幅度 GLG e) 计算输出电功率 * 6.PIN光敏二极管 --- P型半导体和N型半导体之间夹杂一层很厚的本征半导体（I层） P-N结的内电场集中于I层（P-N结的空间电荷层的间距加宽，结电容变小---响应时间变短、频带变宽） ① 频带宽（10GHz） ② 线性输出范围很宽（I层很厚， 可承受较高的反向偏压） ③ I层电阻大，管子输出电流小 （零点几~几?A） * 7.雪崩光敏二极管（APD） 利用P-N结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种光伏器件 -- 自身具有电流增益，响应度高、响应速度快（工作在很高的反偏状态） 工作电压很高（100~200V） -- 接近反向击穿电压 很高的内增益（电压等于反向击穿电压时，电流增益可达106） --自持雪崩 响应速度快（带宽可达100GHz） ---响应速度最快的光敏二极管 电气图形符号 * 1） 伏安特性 外加电压较低---普通光敏二极管（没有电流倍增现象） 偏压增加到接近击穿电压UB--- 光电流得到很大倍增 偏压继续上升（超过UB）--- 光电流急剧减小，噪声电流大，发生击穿 缺点– 噪声较大（工作电压接近/等于反向击穿电压，噪声增大到放大器的噪声水平，无法使用） * 2） 特性参数 ① 雪崩增益M --- 有光照时的光电流Ip与无倍增时的光电流I0之比 UB--- 击穿电压（与材料温度有关，几十V~几百V）； U---管子的外加反向电压； n---与材料、掺杂、器件结构有关的常数（硅材料：n=1.5~4； 锗器件：n=2.5~3） * ② 响应时间 --- 光生载流子在结区的渡越时间很短（高反向偏压） 结电容：几个pF（甚至更小）---硅管的响应时间约为0.5~1.0ns，频率响应可达几十GHz 3）特点（与光电倍增管相比） ① 体积小、工作电压低、使用方便 ② 暗电流大，噪声也大（光电倍增管更适合于弱光探测） ③ 光谱为0.8~1.1?m区，量子效率高于光电倍增管（对窄脉冲响应有更好的探测度） * 利用半导体PN结光伏(PV，Photo Voltaic)效应制成的器件 --- 光电池、光敏二极管、光敏晶体管、光敏PIN管、雪崩光敏二极管、阵列式光电器件、象限式光电器件、位置敏感探测器（PSD） -— 结型光电器件 1. 光生伏特效应 光照固体/半导体时,使不均匀半导体/半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象 ---光伏效应 1）P-N结的光电效应 四、光伏器件及其检测电路 P-N结受到垂直于P-N结面的光照射，并且光子能量大于材料的禁带宽度 结两边产生电子-空穴对 少子浓度变化，多数载流子浓度不变 * P区的光生电子和N区的光生空穴和结区的电子空穴（少子）扩散到结电场附近 入射光能转变成流过P-N结的电流 ---- 光电流 光生电子---N区，光生空穴---P区 N区边界附近---光生电子积累；