硅材料加工讲述.ppt

若需抛光加工就需要对研磨片进行腐蚀处理。通常采用化学腐蚀。分为酸腐蚀和碱腐蚀两种。 酸腐蚀：等方向性腐蚀，腐蚀液由不同比例的硝酸、氢氟酸及缓冲液配制而成。硝酸是氧化作用，氢氟酸是溶解二氧化硅，体积比为5:1。 缓冲液具有缓冲腐蚀速率的作用，还有改善晶片表面的湿化程度，避免产生不规则的腐蚀结构。缓冲液一般采用磷酸或醋酸，醋酸极易挥发，在腐蚀液中的浓度不易稳定，磷酸会降低腐蚀速率。 1、腐蚀界面层的厚度影响着分子的扩散，从而影响腐蚀速率，一般采用晶片旋转及打入气泡等方式进行搅拌，减小反应层厚度。 2、腐蚀温度一般控制在18~24℃,过高的温度有可能使金属杂质扩散进入晶片表面。 3、腐蚀器件为聚二氟乙烯制成。 4、腐蚀完成后，要快速进行冲洗，转移时间控制在2s以内 是一种非等方向性的腐蚀，腐蚀速率与晶片的结晶方向有关。（111）晶面具有较小的自由基不易被-OH腐蚀。腐蚀剂为KOH或者NaOH。 KOH的浓度控制在30%~50%，反应温度为60~120℃。腐蚀速度随浓度的增加而增加，达到最大值后，会随KOH浓度的增加而减小。浓度较高时，不仅有利于控制腐蚀速率，因黏度较高，也使晶片上比较不易留下斑点。 碱腐蚀与晶片表面的机械损伤程度有关，一旦损伤层完全去除，腐蚀速率就会变缓慢。 参数 酸腐蚀 碱腐蚀 反应性质 放热 吸热 腐蚀方向性 无方向性 有方向性 金属污染程度 腐蚀液纯度高，温度低，污染程度小 纯度低，温度高，污染程度大 平整度 需使用特制片盒装载晶片并用打入气泡等方式改变平整度 不需要特制载具，晶片不需旋转，不用打入气泡等就能得到一定的平整度 粗糙度 较小，与晶片原损伤层程度有关 较大，与晶片原损伤层程度有关 表面残留微粒 难以去除晶片原有的微粒不易吸附微粒 较易去除晶片原有的微粒，较易吸附微粒 斑点 晶片转移时间须小于2s，低电阻率晶片交易产生斑点 转移时间须小于4s，与晶片电阻率无关 成本 约为碱腐蚀的2倍 制作集成电路的硅片必须进行晶圆表面及边沿的抛光，抛光采用化学机械方式。 边沿抛光的目的是降低边沿附着微粒的可能性，并使晶片在集成电路制作过程中减少崩边损坏 表面抛光的目的是改善表面的技术参数，提高表面性能，以满足集成电路制作的需要。 步骤：粗抛和精抛 粗抛的主要作用是为去除磨片的损伤层，去除量为10~20 μm. 精抛的主要作用是改善晶片的粗糙程度，去除量不足1μm。 表面杂质的来源： 在切割、磨片等加工的步骤里，机械上各种油脂中、润滑油、防锈油等 固定硅片需要的各种黏合剂、松香、石蜡等 切和磨所用的不同磨料，SiC、Al2O3、人造金刚石等 抛光硅片：MgO、SiO2等 冲刷用水：Ag、Cu、Fe、Ni、K、Na、Ca、Mg；F、Cl、O、H等 即使清洁的硅片暴露在空气中长时间也会引入杂质 清洗的目的是清除晶圆表面的污染物（微粒、金属杂质、有机物），采用湿式化学清洗 清洗环境的洁净度要求特别高，清洗台局部区域要求洁净度为1级（空气中0.1 μm 的微粒数不得多于10个/ ）。空气中挥发物也需严格控制。化学品的纯度必须是超级纯，金属不纯物小于0.1ppb,所含0.2 μm 的微粒必须小于200个/ 。 分子型杂质：天然或合成油脂、树脂 离子型杂质：K+、Ca2+、F-、(CO3)2-等 原子型杂质： Ag、Cu、Fe、Ni等、 去除一般程序： 去油→去离子→去原子→去离子水冲洗 去油：四氯化碳、丙酮、甲苯等有机溶剂 去离子：酸、碱溶液或碱性双氧水 去原子：王水、酸性双氧水（兼具去离子作用） 湿式化学清洗（RCA）的清洗液有两种SC-1和SC-2 SC-1由 组成，称为APM。浓度为1:1:5~1:2:7 ,适合清洗的温度是70~80℃。SC-1具有较高的PH值，可有效的去除晶圆表面的微粒及有机物。 SC-2由 组成，简称HPM。浓度比为1:1:6~1:2:8,适合清洗的温度为70~80 ℃。SC-2具有较低PH值，可与残留金属形成可溶物。 ①SC-1中的双氧水H2O2将硅晶片表面微粒氧化溶于清洗液中去除，也可以利用超声波等方式去除微粒，当超声波平行于晶圆表面时，会逐渐湿化微粒使其脱落。当超声波施加到SC-1清洗液槽中，可于40℃去除微粒。 ②SC-1清洗液对硅片有轻微腐蚀作用，通过对硅片腐蚀也可使微粒脱落，但是时间不宜过长，易造成晶圆表面微粗糙度增加。 金属污染将导致晶片热氧化层错的产生，影响元件品质。 SC-1和SC-2中的高氧化的H2O2，去除金属杂质。SC-1去除ⅠB族、ⅡB族、Ni、Co、Cr等金属杂质。SC-2去除碱金属离子、Cu、Au、等残留金属和Al(OH)3、Fe(OH)3、Mg(