物理3-1人教版精品习题第三章磁场习题讲述.doc

本章优化总结 　　　　　　　有关安培力问题的分析与计算安培力既可以使通电导体静止、运动或具体求解应从以下几个方面着手分析：安培力的大小(1)当通电导体和磁场方向垂直时＝ILB.(2)当通电导体和磁场方向平行时＝0.(3)当通电导体和磁场方向的夹角为θ时＝ILB安培力的方向(1)安培力的方向由左手定则确定．(2)F安同时F安即F安垂直于B和L决定的平面但L和B不一定垂直．安培力作用下导体的状态分析通电导体在安培力的作用下可能处于平衡状态也可能处于运动状态．对导体进行正确的受力分析是解决该类问题的关键．分析的一般步骤是：(1)明确研究对象这里的研究对象一般是通电导体．(2)正确进行受力分析并画出导体的受力分析图必要时画出侧视图、俯视图等．(3)根据受力分析确定通电导体所处(4)运用平衡条件或动力学知识列式求解．(2015·武汉中学高二检测)如图所示电源电动势E＝内阻r＝竖直导轨宽L＝0.2 导轨电阻不计．另有一质量m＝电阻R＝0.5 的金属棒它与导轨间的动摩擦因数μ＝靠在导轨的外面．为使金属棒不滑动施加一与纸面夹角为30且与导体棒垂直指g取10 )．求：(1)此磁场的方向；(2)磁感应强度B的取值范围．[解析]　(1)要使金属棒静止安培力应斜向上指向纸里画出由a→b的侧视图并对棒ab受力分析如下图所示．经分析知磁场的方向斜向下指向纸里． 甲　　　　　　　　乙　(2)如图甲所示当ab棒有向下滑的趋势时受静摩擦力向上为FFsin 30°＋F－mg＝0＝B＝μF＝E/(R＋r)联立四式并代入数值得B＝3.0 当ab棒有向上滑的趋势时受静摩擦力向下为F如图乙所示则：－F－mg＝0＝μF′＝B＝可解得B＝16.3 所以若保持金属棒静止不滑动磁感3．0 T≤B≤16.3 T. [答案]　(1)斜向下指向纸里　(2)3.0 [方法总结]　对于安培力作用下的平衡问题处理方法是对导体棒进行受力分析由平衡条件求解求解过程中注意最大静摩擦力涉及的两个临界情况． 1.(2015·新疆乌鲁木齐高二统测)如图所示I的直铜棒MN用悬线挂在磁感应强度为B的匀强磁场中此时两根悬线处于张紧状态下列哪些措施可使悬线中张力为零(　　) A．适当增大电流使电流I反向并适当增大保持电流I不变适当增大B使电流I反向并适当减小解析：选当F安与重力等大反向时悬线中张力为零由F安＝BIL知I、B适当增大均可故选、C 　　　　　　　电偏转和磁偏转的分析　所谓“电偏转”与“磁偏转”是指分别利用电场和磁场对运动电荷施加作用从而控制其运动方向但电场和磁场对电荷的作用特点不同因此这两种偏转有明显的差别． 垂直电场线进入匀强电场(不计重力)——电偏转 垂直磁感线进入匀强磁场(不计重力)——磁偏转 受力情况 电场力F＝Eq大小、方向不变 洛伦兹力F＝Bqv大小不变方向随v而改变且F⊥v 运动类型 类平抛运动 匀速圆周运动 或其一部分 运动轨迹 抛物线 圆或圆的一部分 运动图示 动能的变化 电场力与速度的夹角越来越小动能不断增大并增大得越来越快 洛伦兹力不做功所以动能保持不变求解方法 纵向偏移y和偏转角φ要通过类平抛运动的规律求解 纵向偏移y和偏转角φ要结合圆的几何关系通过对圆周运动的讨论求解如图所示某一真空区域内充满匀强电场和匀强磁场此区域的宽度d＝8 电场强度为E方向竖直向下磁感应强度为B方向垂直纸面向里一电子以一定的速度沿水平方向射入此区域．若电场与磁场共存电子穿越此区域恰好不发生偏转；若射入时撤去磁场电子穿越电场区域时y＝3.2 ；若射入时撤去电场电子穿越磁场区域时也发生了偏转．不计重力作用求：(1)电子射入时的初速度的表达式；(注：表达式不必代入具体数值只保留字母符号)(2)电子比荷的表达式；(3)画出电子穿越磁场区域时(撤去电场时)的轨迹并标出射出磁场时的偏转角α.(＝0.6＝0.8)(4)电子穿越磁场区域后(撤去电场时)的偏转角α.[解析]　(1)电子在复合场中不发生偏转所受电场力和洛伦qE＝qvB得初速度的表达式v＝(2)电子垂直进入匀强电场向上做类平抛运动有d＝v·t＝加速度a＝可解得电子比荷＝ (3)电子穿越磁场区域时的轨迹如图所示．(4)电子垂直进入匀强磁场做匀速圆周运动由洛伦兹力提供向心力＝，代r＝＝＝10 ＝0.1 由几何知识得＝＝0.8所以偏转角α＝53[答案]　(1)v＝　(2)＝　(3)见解析图　(4)53[借题发挥]　电偏转的主要运动是类平抛运动解决的方法是运动的合成 2.在如图所示的直角坐标系中在y≥0的区域内有一垂直于xOy平面的匀强磁场在第四象限内有一平行于x轴方向的匀强电场．现使一个质量为m、带电荷量为q的带电粒子从坐标原点O以速度v沿y轴正方向射入匀强磁场带电粒子从P(a)点射出磁场最后再从Q点射出匀强电场射出电场时粒y轴的夹角为120(