IC工艺_2-1摘要.ppt

杂质对氧化速率的影响 /2 c. 掺磷对抛物型速率常数只有适度的增加，而使线性速率常数B/A明显变大；且随着温度升高影响逐渐减弱。 * 氧化再分布后，少量的P(分凝系数m1)分凝到SiO2中，使氧化剂在SiO2中的扩散能力增加不多，因而抛物型速率常数B变化不大；大部分P集中在Si表面，使线性速率常数B/A明显增大，而氧化速率取决于硅表面的掺杂浓度。 (分凝系数m = 杂质在Si中的平衡浓度/杂质在SiO2中的平衡浓度) 杂质分凝：n型杂质更倾向于进入硅，p型杂质更倾向于进入SiO2 。 * * * Effect of Si doping on oxidation m1，并且杂质在氧化物中扩散慢。例如 P，As，Sb杂质在硅界面处堆积； m1，并且杂质在氧化物中扩散快。例如Ga，硅界面处的杂质浓度低于体浓度。 * * 掺硼硅氧化层厚度与温度 和浓度的关系 当硼的浓度 时，对于任何温度和时间，氧化速率都增大。 * 掺磷硅氧化层厚度与温度 和浓度的关系 由图2.17可知，低温下氧化速率的增大非常明显，但随着温度的升高，氧化速率的增大逐渐消失。 由图2.18可知，当硼的浓度很高 时，线性速率常数B/A迅速增加，而B只出现适度增加。 * 其他杂质对氧化速率的影响 水汽 干氧中，极少量的水汽就会影响氧化速率； 水汽会增加陷阱密度。 * * 钠 钠以Na2O的形式进入SiO2中，使非桥键氧增加，氧化剂扩散能力增强，但SiO2强度下降了。 氯 氯的作用：固定重金属、Na+等杂质；增加Si中的少子寿命；减少SiO2中的缺陷；降低界面态和固定电荷密度；减少堆积层错。 其他杂质对生长速率的影响 Oxygen diffuses faster (compared to water) Sodium and Hydrogen diffuse very fast Water Oxygen Hydrogen Sodium 1/T Diffusivity (log scale) 　氧化环境中的其他杂质的存在，也会使生长率增加。 * * 氯对氧化速率的影响 * * * 线性速率常数B/A 抛物线速率常数B 氧化剂分压(水汽氧化) 随氧气气压呈线性 随氧化气压呈线性 氧化剂分压(干氧氧化) 随氧气气压呈亚线性 随氧化气压呈线性 水汽氧化 vs. 干氧氧化 水汽氧化速率更大 水汽氧化速率更大 硅衬底表面取向 B/A(111):B/A(100)=1.68:1 和衬底取向无关 硅中掺杂类型和浓度 随掺杂浓度增加 关系不大 氧化气氛中掺氯 增加 增加 B/A及B和工艺参数的关系 * 不均匀氧化 经过器件或电路制造工艺的初始氧化后，晶圆表面的条件会有所不同，如：场氧、掺杂、多晶硅等。不同的区有不同的氧化率并且依赖不同的条件使氧化厚度增长。 氧化厚度的不同被称作不均匀氧化。不同的氧化率导致在晶圆表面形成的台阶。 * * * 潮湿环境有更快的生长速率是由于水蒸汽比氧气在氧化硅中扩散更快、溶解度更高。 * 氯化物浓度保持在3%以下，否则过多的氯化物离子将引起器件的不稳定。 * * * * * * * * * * 氧化生长速率的物理意义 　氧化生长速率　　　　　 是用于描述氧化 　 当氧化剂的量足够时，SiO2生长的快慢最 终由氧化剂在SiO2中的扩散速度和它与Si的反 应速度中较慢的一个所决定。 　 硅片上氧化物生长模型是用Deal-Grove模 型描述的。 物在硅片上生长的快慢。 * * 氧化物生长模型Deal-Grove Model 速率常数， 与扩散率 成正比 * * Bruce Deal Andy Grove Deal-Grove Model Solution where t is the time needed to grow the ‘initial’ oxide A and B depend on diffusivity “D”, solubility and # oxidizing species per unit volume “n” A and B will be different for Dry and Wet oxidation * * * 100~200 nm常用 800-1200 oC, 1 atm, 0.1 mm/hr 高密度?栅氧化等 xi＝0 干O2气氛中的热氧化： D-G模型的计算值 * 100~200 nm常用 700-1100 oC, 25 atm , 1 mm / hr 疏松，扩散阻挡能力较差? 刻蚀掩膜和场氧化 xi＝0 H2O气氛中的热氧化： D-G模型的计算值 硅的热氧化的两种极限情况