第三章热平衡态下半导体载流子的统计分布要点.ppt

第三章 热平衡态下半导体载流子的统计分布 热平衡 热平衡时非简并半导体载流子浓度的计算 本征半导体载流子浓度的计算 杂质半导体载流子浓度的计算 简并半导体载流子浓度的计算 §3-1 热平衡状态 一、 热平衡 在一定的温度下，存在： 产生载流子过程——电子从价带或杂质能级向导带跃迁 复合过程——电子从导带回到价带或杂质能级上 在一定温度下，产生数 ＝复合数 →热平衡状态 二、热平衡时载流子的浓度 载流子的浓度取决于： 允许电子存在的量子态在能带中按能量是如何分布的，或者说每一个能量E有多少允许电子存在的量子态 电子如何按能量分布在能带中的各能级上 假设： 导带中单位能量间隔含有的状态数为gc(E)——导带的状态密度 能量为E的每个状态被电子占有的几率为 f(E) 在能量dE内的状态具有的电子数为：f(E) gc(E) dE 整个导带的电子数N为： 式中Ec′为导带顶的能量 若晶体的体积为V，那么电子的浓度为： 空穴占据能量E的几率为：1-f(E) 空穴的浓度p为： 式中Ev′为价带底的能量 gv(E)为价带中单位能量间隔含有的状态数——价带的状态密度 §3-2 热平衡态时电子在量子态上的几率分布 一、费米分布函数和费米能级 晶体能带中电子的能量状态是量子化的，电子在各能级上的分布遵从费米分布。 在导带和价带处 电子遵循的费米统计规律：费米分布函数——一个电子占据能量E的几率。 式中EF具有能量量纲，称为费米能级 没有被电子占有的几率为： 2. 在杂质能级EA和ED处 电子占据ED的几率： 空穴占据EA的几率： 3. f(E)的特点 (1) f(E)与温度T有关 T=0K EEF f(E)=0 EEF f(E)=1 ∴EF在禁带中 T0K，且温度不太高时 EEF f(E)1/2 EEF f(E)1/2 E=EF f(E)=1/2 T↑, EEF f(E) ↑ EEF f(E) ↓ （2）f(E)与EF有关 EF ↑，f(E) ↑，能带中的电子占有几率增加 (a) 强p型 (b) p型 (c) 本征 (d) n型 (e) 强n型 费米能级的位置标志着电子填充水平的高低。 EF是电子热力学系统的化学势，是反映电子基本占据或基本不占据某一能量状态的一个界限标志，与温度、半导体类型及杂质浓度等有关。热平衡状态下，一个电子系统有相同的化学势，即有统一的费米能级。 二、玻尔兹曼分布 电子的玻氏分布 当 E - EF k0T时， 1，电子占据量子态的几率fn(E)1，此时不受泡利不相容原理限制，费米分布转化为玻尔兹曼分布，电子分布遵循玻尔兹曼分布。 ——玻尔兹曼分布 例如：E - EF＝5kT时， 本征Si： (EF)本征≈Ei (禁带中心能级) 禁带宽度Eg =1.12 eV， Ec-EF =Ec- Ei = 0.56 eV 在室温时，kT＝0.026 eV 0.56/0.026＝21.65 常见的半导体中，EF位于禁带内，导带底和价带顶满足E - EF k0T，故常用玻尔兹曼分布计算半导体问题。通常把服从玻尔兹曼分布的电子系统称为非简并系统，服从费米分布的电子系统称为简并系统。 2. 空穴的玻氏分布 当EF - EkT时， 空穴占据能量E的几率≈ E↑，空穴占有几率增加：EF ↑，空穴占有几率下降，即电子的填充水平增高。 满足： E- EF k0T或EF –E k0T的半导体称为非简并半导体；否则为简并半导体。 §3- 3 量子态密度 量子态(状态)密度——能带中能量E+dE之间有dz个量子态，则状态密度为： 即状态密度是能带中能量E附近单位能量间隔内的量子态数目，它是能量E的函数。 状态密度的计算： k空间的状态密度——单位 k空间体积内的量子态数 能量间隔 dE对应的 k空间体积 能量间隔 dE对应的量子态数 dz 计算状态密度 g(E) 一、理想晶体的k空间的状态密度 1. 一维晶体 设它由N个原子组成，晶格常数为a，晶体长度为L，起点在x处： 在x和x+L处，电子的波函数分别为φ(x)