电子测量与仪器第七章密直流电流电压和电阻测量技术概述.pptVIP

(2) 数字多用表欧姆计(比率技术) RX R1 R2 R3 R4 RS RS RREF VSENSE VREF 参考HI 参考LO 取样HI 取样LO 输出HI 取样HI 取样LO 输出LO 仅可用方 式连接 (a) 电阻值：RX=RREF·(VSENSE/VREF) (b) 电阻器RS：二线/四线自动选择功能 (c) 取样电路高阻抗输入 R1，R2，R3，R4 =引线电阻 (3) 微欧姆计(四线比率技术) (a) 电阻值：RX=RREF·(VSENSE/VREF) (b) 四线比率技术 RX R1 R2 R3 R4 RS RS RREF VSENSE VREF 参考HI 参考LO 取样HI 取样LO 源HI 取样HI 取样LO 源LO (4) 脉冲模式下的微姆计 (a) 消除寄生偏置电压。(由于取样放大器偏置电流引起) (b) 测量两次，闭合S1测得VSENSE1，打开S1测得VSENSE2。于是：电阻值：RX=RREF·[(VSENSE1-VSENSE2)/VREF] RX R1 R2 R3 R4 RS RS RREF VSENSE VREF 参考HI 参考LO 取样HI 取样LO 源HI 取样HI 取样LO 源LO S1 VX (5) 微欧计中干电路测试 (a) 干电路测试：限制加在被测体上的电压(20mV)，在电流源端增加电阻器RSH。 (b) 被测电阻：RX=VSENSE/[VREF/RREF-VSH/RSH] RX R1 R2 R3 R4 RS RREF VSH VREF 参考HI 参考LO 取样HI 取样LO 参考HI 取样HI 取样LO 参考LO VSENSE 分流HI 分流HI RSH * 第七章 精密直流电流、电压和电阻测量技术 (精密测量的基础知识) 7.1 一个电源测量的实例 7.2 精密直流测量的任务 7.3 测量的极限理论 7.4 精密测量的常用仪器 7.5 精密测量电路设计基础 仪器科学与工程系 7.1 一个电源测量的实例 要求：设计一测量系统的前置放大电路，测量电池的输出电压。 被测目标：可认为是一电池，输出直流电压范围在±2V，即-2VVa-Vb2V，输出阻抗在107～109Ω。 已有器件： 理想的A/D，理想的2.5V基准，+3.3V电源。 A/D的信号输入范围为0~2.5V，精度为4位半，即±1999.9mV，误差不超过3个字，使用温度范围18~28℃。 设计电路并标出运放的型号以及电阻和电容的规格。 1. 电源的内阻很大 2. 测量精度要求高：0.3mV (41/2位AD精度核算是15bits) 3. 电压变换， -2VVa-Vb2V AD：0~2.5V范围内 1. 由1、2两项，要求放大器的输入偏置电流极小： 2. 电阻R1、R2适当。 R1=R2,同一批电阻 该选什么样的放大器呢？ 7.2 精密直流测量的任务 1、条件：低电平条件下的测量。 2、精密测量：要求测量精度非常高。 3、被测对象往往是极端情况，是难以测量的对象。 测量任务 高源内阻测量 低源内阻测量 电压测量: 电容器的介电吸收，电化学实验 弱电流测量: 电容器的漏电,弱电流半导体,光和离子束 高电阻测量: 电路板绝缘电阻，绝缘材料电阻率， 半导体电阻率，高阻值电阻器 电荷测量: 电容测量，物体静电测量 低电压测量: 标准电池，噪声测量 低电阻测量: 接触电阻，超导体、导电材料电阻率 本章主要介绍的是高端仪器！！！ 7.3 测量的极限理论 数字多用表（DMM）测量： 直流电压1μV 直流电流 1μA 时，OK! 电阻值1GΩ 测量接近极限理论的低电平信号时，要求仪器具有更高的灵敏度，此时要用到： 静电计（Electrometer ） 皮安表（pAM） 纳伏表（nVM）等高端仪器。 测量的理论极限： 测量灵敏度的理论极限取决于在电路中电阻所产生的噪声，电阻噪声与电阻阻值、带宽和绝对温度乘积的平方根成正比。 也就是说，在一个1Ω的电阻上产生的1μV的信号能够检测到，但是在1MΩ的电阻上产生的1μV的信号，用同样的仪器就有可能检测不到，因为此时的电阻噪声增大了1000倍。 K－波尔兹曼常数 K=1.38×10-23 J/K T－绝对温度 R－电阻值 B－工作带宽 如：K－波尔兹曼常数 K=1.38×10-23 J/K T－绝对温度17℃ (256K) R－电阻值 500kΩ B－工作带宽 4MHz 被噪声禁止的区域 理论极