单晶生长方法讲义.ppt

石英滤波器具有比一般电感电容做的滤波器体积小，成本低，质量好等特点。在有线电通讯中用石英滤波器安装各种载波装置，在载波多路通讯装置（载波电话、载波电视等）的一根导线上可以同时使用几对、几百对、甚至几千对电话而互不干扰。使用石英的可透过红外线、紫外线和具有旋光性等特点，在化学仪器上可做各种光学镜头，光谱仪透镜等。 1）溶液法－水热法合成石英的装置 高压釜的密封结构采用“自紧式”装置。 自紧式高压釜的密封结构 水热法合成石英的装置 结晶区温度为330—350℃；溶解区温度为 360－380℃ ；压强为0.1－0.16GPa； 矿化剂为1.0－1.2mol/L 浓度的NaOH， 添加剂为LiF、LiNO3或者Li2CO3 。 培养石英的原料放在 高压釜较热的底部，籽晶 悬挂在温度较低的上部， 高压釜内填装一定程度的 溶剂介质。 2）石英的生长机制 高温高压下，石英的生长过程分为：培养基中石英的溶解、溶解的SiO2向籽晶上生长两个过程。 而石英的溶解与温度关系密切，符合Arrhenius方程： lgS = -△H/2.303RT 式中， S—溶解度；△H—溶解热；T—热力学 温度； R—摩尔气体常数，负号表示过程为吸热反应。 实验发现，由于石英的溶解，溶液的电导率下降大，表明溶液中 OH—离子和Na＋离子明显减少。这就说 明，OH—离子和Na＋离子 参与了石英溶 解反应。 有人认为，石英在NaOH溶液中的化学反应生成物以Si3O72-为主要形式，而在Na2CO3溶液中则以SiO32- 为主要形式。它是氢氧离子和碱金属与石英表面没有补偿电荷的硅离子和氧离子等起化学反应的结果。故，石英在NaOH溶液中的溶解反应可用下式表示: SiO2(石英) + (2x-4)NaOH = Na(2x-4)SOx + (x-2) H2O 式中x≥2。在接近石英培育的条件下，测得的x值约在7/3和5/2之间，这意味着反应产物应当是Na2Si2O5、Na2Si3O7以及它们的电离和水解产物。而Na2Si2O5和Na2Si3O7经电离和水解，在溶液中产生大量的NaSi2O5-和NaSi3O7-。 因此，石英的人工合成含下述两个过程： ① 溶质离子的活化 NaSi3O7－ + H2O ＝ Si3O6－ + Na+ + 2OH－ NaSi3O5－ + H2O ＝ Si2O4 － + Na+ + 2OH— ② 活化了的离子受生长体表面活性中心的吸引(静电引 力、化学引力和范德华引力)，穿过生长表面的扩散 层而沉降到石英体表面。 关于水晶晶面的活化，有不同的观点，有人以为是由 于晶面的羟基所致，所以产生如下反应，形成新的晶胞层： Si-OH + (Si-O)- → Si-O-Si + OH- 3）影响石英晶体生长的因素 单晶生长速率的影响因素： 温度、温差、溶液过饱和度 在一定温差条件下，晶体的生长速率(mm／d为单位)的对数与生长区的温度的倒数呈线性关系。 在一定的生长温度下，溶解区与生长区的温差越大，晶体生长得越快，基本呈线性关系。但在实际晶体生长过程中，晶体生长不能太快，否则晶体 质量会明显下降。 压强是高压釜内的原始填充度、温度和温差的函数。提高压强会提高生长速率，这实际上是通过其它参数（溶解度和质量交换等情况）来体现的。在温度较低时，填充度与生长速率呈线性关系，在温度较高时线性关系被破坏。 在高温下，相应地提高填充度和溶液碱浓度可以提高晶体的完整性。 比 较 方 法 优 点 缺 点 熔体生长法 生长速率快 晶体颗粒大 晶体的均匀性差 定向凝固法 设备简单 缺陷浓度大 溶 液 生 长 水溶液中 结晶 生长缺陷浓度小的高质量晶体 晶体生长慢， 容器或助溶剂带来的污染问题 助溶剂法 水热法 (1)晶体可以在远低于其熔点的温度下生长。而 且，低温下生长的热源和生长容器也较易选择。 (2)降低黏度。 (3)容易长成大块的、均匀性良好的晶体，并且 有较完整的外形。 (4)在多数情况下(低温溶液生长)，可直接观察 晶体生长。 溶液法具有以下优点： (1) 组分多； (2) 影响晶体生长的因素也比较复杂； (3) 生长周期长。 (4) 低温溶液生长对控温精度要求很高，因为在一定的生长温度(T)下，温度波动(ΔT)的影响主要取决于ΔT／T，在低温下要求ΔT