茂捷M5573副边馈外置MOS兼容绿达GR8837.docVIP

描述 是一优化的高性能高集成的电流模式PWM控制低待机功耗和成本。 PWM开关频率。在空载或轻载条件下，IC减少开关损耗低待机功耗和高转换效率的实现。 提供的自动恢复逐周期电流限制（OCP），过载保护（OLP）VDD欠压保护，和过电压（固定或可调的）保护（OVP）。频率抖动优良的EMI性能。 低于20kHz音频噪声的。 采用SOT-23-6封装 典型应用图 特征 减少应力功率MOSFETVDS 频率抖动 跳周期模式控制的改进 最小率的备用电源设计 开关频率 综合保护VDD欠压保护 2.逐周的过流阈值设置，在全电压范围内恒定输出功率 3.过载保护（OLP）与自动恢复 VDD过压保护（OVP） 应用 适用于AC/DC反激式变换器 充电器 笔记本适配器 机顶盒电源开放式开关电源 I/O 描述 GD P 地 COMP I 反馈输入引脚。PWM的占空比压电流检测信号电流检测输入电输出DRV驱动功率MOSFET。VDD直流电压齐纳电压 V VDD直流电流COMP输入电压输入电压输入电压最小/最大工作℃ 最小/最大温度℃ 最高温度（焊接，10）℃ 芯片框图 应用信息 M5573是一优化的高性能高集成的电流模式PWM控制低待机功耗和成本扩展模式大大降低了待机功耗设计适应国际节能的要求。启动电流和启动控制 M5573启动电流非常低，取高于VDD的UVLO值迅速启动。因此，值启动电阻可减少功率损耗，在应用可靠的启动。 工作电流 M5573工作电流低。与工作电流起扩展。 软启动 M55734ms的软启动。当VDD达到，峰电压由0.15V逐渐升高至最大软启动。 频率抖动干扰的改进 （开关频率调制）EMI带宽，简化了系统设计。 模式操作 在轻载或空载状态，开关电源的功耗开关MOSFET的损耗变压器心损耗和电路损耗功率损耗的大小开关频率的比例。较低的开关频率，功率损耗从而节约了能源。 开关频率在空载或轻载条件下调开关频率在载的情况下提高转换效率。只有当VDD电压下降到低于预COMP电压处在适当状态的时候，DRV驱动，否则，DRV驱动处于关闭状态开关频率的控制消除了在任何负载条件噪声 振荡器 。 电流和前沿消隐 M5573curret模式PWM控制提供逐周期电流限制。开关电流一个电阻到引脚检测内部的前沿消隐电路电压尖峰内部功率MOSFET的初始状态由于二极管反向恢复电流和DRV功率MOSFET电流限制比较器被，无法关功率MOSFET。PWM的占空比是由电流检测输入电压和输入电压计算确定 内部同步斜偿 斜坡补偿电路电压PWM信号，它大大提高了闭环稳定性防止次谐波振荡，从而降低输出纹波电压。 驱动 功率MOSFET是由专用DRV驱动功率开关驱动控制。DRV驱动强度弱，MOSFET开关损耗而DRV驱动强EMI性能。 一个很好的权衡通过内置的图腾柱和DRV设计合适的死区时间控制良好的电磁系统的设计低空载损耗 保护控制 好的电源系统的可靠性自动恢的保护功能，包括逐周期电流限制（OCP），过载保护（OLP）VDD的欠压）无锁存关闭功能包括过温保护（OTP），固定或可调电压保护（OVP）。。 在过载条件下当COMP输入电压超过_PL功率极限阈值时，控制电路关闭。输入电压低于阈值功率极限重新启动VDD启动电流 VDD=UVLO(OFF)-1V，测试流入VDD的电流 5 20 uA I_VDD_Ops 工作电流 VCOMP=3V 1.4 2.5 mA VDD_OFF 欠压锁存开启 8 9 10 V VDD_O 欠压锁存结束（恢复） 14.5 15.5 16.5 V Vpull_up 上拉PMOS启动 13 V Vdd_Clamp IVDD=10mA 30 32 34 V OVP(O) 过压保护电压 SE=0.3V,COMP=3V,VDD升高直到DRV时钟关闭 26 28 30 V 反馈输入部分（COMPPi） VCOMP_Ope VCOMP开环电压 4 5 V 最大占空比 Maxdutycycle@VDD=14V,COMP=3V,VSE=0.3V 75 80 85 % Vref_gree 进入绿色模式的阈值 1.4 V Vref_burst_H 进入跳周期模式的阈值 0.68 V Vref_burst_L 离开跳周期模式的阈值 0.58 V ICOMP_Short COMP引脚短路电流 测量COMP短路到地的电流 0.4 mA VTH_PL 过载时的COMP电压 3.6 V TD_PL 过载延迟时间 80 88 96 mS ZCOMP_I 输入阻抗 16 KΩ 电流检测输入（SEpi） SST 软启动时间 4 ms T_blakig 前沿消