第三章MOS管反相器.pptVIP

第三章 MOS管反相器 * * 反相器是构成逻辑电路的一个基本要素，无论是对于恢复逻辑电平的电路、与非门及或非门电路，还是对于各种形式的时序电路以及存储器电路，它都是需要的。MOS管反相器分为静态反相器和动态反相器两种结构形式。静态反相器是动态反相器发展的基础，通过分析各种静态反相器的特点，才能充分利用各种静态反相器性能优势，在其基础上发展和应用动态反相器。本章从静态反相器入手，首先分析了各种静态反相器的电路结构特点、直流特性、延迟和功耗，然后分析了动态反相器的电路结构特点、工作特性等。 3.1 引言 反相器是这样的电路，当其输入信号为高电平时，其输出为低电平，而当其输入信号为低电平，其输出则为高电平。反相器在电路中的表示符号如图3.1.1所示。 图3.1.1 反相器符号 图3.1.2 反相器结构 3.2 NMOS管负载反相器 3.2.1 增强型NMOS管负载反相器 1、负载NMOS管工作于饱和区的反相器 （a）电路 （b）电压转移特性 图3.2.1 饱和区增强型负载NMOS管反相器 2、负载NMOS管工作于线性电阻区 （a）电路 （b）电压转移特性 图3.2.2 线性区增强型负载NMOS管反相器 3.2.2 耗尽型负载NMOS管反相器 （a）电路 （b）电压转移特性 图3.2.3 耗尽型负载NMOS管反相器 3.3 CMOS反相器 3.3.1 CMOS反相器结构特点 （a）电路 3.3.2 CMOS反相器直流特性 （b）转移特性 图3.3.1 CMOS反相器 （c）电流的变化 3.4 动态反相器 图3.4.1 动态反相器 3.4.1 动态有比反相器 3.4.2 动态无比反相器 图3.4.2 动态无比反相器 3.5 延迟 （a）反相器 （b）输入从逻辑0跳变到逻辑1 （c）输入从逻辑1跳变到逻辑 图3.5.1 反相器产生延迟 图3.5.2 两级CMOS反相器级联 （a）充电模型 （b）放电模型 图3.5.3 延迟模型 （a）充电过程 图3.5.4 主要电阻和电容来源 （b）放电过程 3.6 功耗 CMOS反相器的耗功P由两部分组成， （1）静态功耗，即反向漏电造成的功耗PD； （2）动态功耗，即反相器电平发生跳变时产生的功耗。 1、静态功耗 图3.6.1 CMOS反相器的稳态时没有电流 *