光电技术_01光电技术基础重点.pptVIP

热平衡状态载流子的产生率应与复合率相等。 非平衡状态下，载流子的时间变化率应等于载流子的总产生率与总复合率的差。即 两种情况： （1）微弱辐射作用 Δnni，Δppi，并本征吸收时，Δn=Δp，有 利用初始条件t = 0时，Δn = 0，解微分方程得 式中τ=1/Kf(ni+pi)称为载流子的平均寿命。 通解 光激发载流子浓度随时间按指数规律上升，当tτ时，载流子浓度Δn达到稳态值Δn0，即达到动态平衡状态 光激发载流子引起半导体电导率的变化Δσ为 μ=电子迁移率μn+空穴迁移率μp 欧姆定律的微分形式： 按定义： 另外： 由此可得半导体材料在弱辐射作用下的光电导灵敏度Sg l的平方成反比。 半导体材料的光电导g为 在弱辐射作用下的半导体材料的光电导灵敏度为与 材料性质有关的常数，与光电导材料两电极间的长度 （2）在强辐射的作用下，Δnni，Δppi 利用初始条件t = 0时，Δn = 0，解微分方程得 为强辐射作用下载流子的平均寿命。 强辐射情况下，半导体材料的光电导与入射辐射通量间的关系为 进行微分得 强辐射作用的情况下半导体材料的光电导灵敏度不仅与材料的性质有关，而且与入射辐射量有关，是非线性的。 平均寿命是个非常重要的参量，它表征复合的 下使用。 强弱， τ小表示复合快，τ大表示复合慢。 要制成光电导高的器件，应该使ni和pi有较小的值。 因此光电导器件一般是由高阻材料制成或者在低温 2. 光生伏特效应 (1)PN结的形成 P型半导体的多子是空穴， N型半导体的多子是电子。P型、N型半导体结合在一起时，载流子的浓度差引起扩散运动。P区的空穴向N区扩散，剩下带负电的受主离子；N区耳朵多子电子向P区扩散，剩下带正电的施主离子。从而在靠近PN结界面的区域形成一个空间电荷区。其电场的方向由N区指向P区，该电场称为内建电场。内建电场的作用下，载流子产生漂移运动，其方向与扩散运动的方向相反。当漂移运动与扩散运动达到平衡时，结区内建立起了相对稳定的内建电场。 2. 光生伏特效应 (2)PN结的能带结构 N型半导体 P型半导体 Ec Ev Ec Ev EFp EFn 2. 光生伏特效应 (3)光生伏特效应 当入射辐射作用在半导体PN结上产生本征吸收时，价带中的光生空穴与导带中的光生电子在PN结内建电场的作用下分开，并分别向如图1-11所示的方向运动，形成光生伏特电压或光生电流的现象。 扩散运动： 形成内建电场 光生电流Iφ =ISC 2. 光生伏特效应 (4)PN结电流方程 正向偏压 + - 正向电流 反向偏压 - + 反向电流 电流大小： 正向偏压： 反向偏压： 开路电压： 光电二极管在反向偏置的情况下，输出的电流为 I=IΦ+ID 光电二极管的暗电流ID一般要远远小于光电流IΦ，因此，常将其忽略。光电二极管的电流与入射辐射成线性关系 3. 丹培（Dember）效应 如图1-13所示，当半导体材料的一部分被遮蔽，另一部分被光均匀照射时，在曝光区产生本征吸收的情况下，将产生高密度的电子与空穴载流子，而遮蔽区的载流子浓度很低，形成浓度差。 这种由于载流子迁移率的差别产生受照面与遮光面之间的伏特现象称为丹培效应。 丹培效应产生的光生电压可由下式计算 式中，n0与p0为热平衡载流子的浓度；Δn0为半导体表面处的光生载流子浓度；μn与μp分别为电子与空穴的迁移率。μn=1400cm2/(V·s)，而μp=500 cm2/(V·s)，μnμp。 半导体的迎光面带正电，背光面带负电，产生光生伏特电压。这种由于双极性载流子扩散运动速率不同而产生的光生伏特现象为丹培效应。 4.光磁电效应 在半导体上外加磁场，磁场的方向与光照方向垂直，当半导体受光照射产生丹培效应时，由于电子和空穴在磁场中的运动必然受到洛伦兹力的作用，使它们的运动轨迹发生偏转，空穴向半导体的上方偏转，电子偏向下方。 结果在垂直于光照方向与磁场方向的半导体上下表面上产生伏特电压，称为光磁电场。这种现象称为半导体的光磁电效应。 光磁电场为 式中，Δp0，Δpd分别为x=0，x=d处n型半导体在光辐射作用下激发出的少数载流子（空穴）的浓度；D为双极性载流子的扩散系数，在数值上等于 其中，Dn与Dp分别为电子与空穴的扩散系数。 5. 光子牵引效应 当光子与半导体中的自由载流子作用时，光子把动量传递给自由载流子，自由载流子将顺着光线的传播方向做相对于晶格的运动。结果，在开路的情况下，半导体样品将产生电场，它阻止载流子的运动。这个现象被称为光子牵引效应。 在室温下，P型锗光子牵引探测器的