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- 2017-05-17 发布于湖北
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二次电子像 在扫描电子显微镜中,平面样品法线与入射电子束轴线之间夹角为样品倾斜角?,当入射电子电流ip为一定值时,二次电子电流is随?角增大而增大。若用二次电子产额(或称二次电子发射系数)?来表示每个入射的初始电子能激发出的二次电子数目,则 如果样品是由的四个小刻面A、B、C、D所组成的,由于?D > ?A= ?C > ?B 所以? D> ? A= ?C > ? B,结果在荧光屏或照片上D小刻面的像最亮;A、C面的亮度相等,稍暗;B小刻面最暗。 随样品倾斜角?增大,入射电子束激发体积靠近、甚至暴露于表层,激发体积内产生的大量自由电子离开表层的机会增多。因此,样品表面尖棱(A)、小粒子(B)、坑穴边缘(C和D)等部位,在电子束作用下产生比样品其余部位高得多的二次电子信号强度,所以在扫描像上这些部位显示异常亮的衬度。 原子序数衬度 背散射电子产额随元素原子序数Z的增大而增大。样品表面平均原子序数较大的区域,产生较强的信号,在背散射电子像上显示较亮的衬度。因此,根据背散射电子像(成分像)亮暗衬度可以判别对应区域平均原子序数的相对高低。 吸收电子也是对样品中原子序数敏感的一种物理信号。由入射电子束与样品的相互作用可知,在一定的实验条件下,入射电子的电流一定,吸收电流与背散射电子电流存在互补关系: Ia= Ii – I
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