第1章晶体二极管技巧.pptVIP

教学要求 为什么采用半导体材料制作电子器件 空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？ 什么是N型半导体？什么是P型半导体？当两种半导体制作在一起时会产生什么现象？ PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗?它为什么具有单向导电性？在PN结加反向电压时果真没有电流吗？ PN 结——伏安特性曲线 ID(mA) V(V) VD(on) -IS Si Ge VD(on) = 0.7 V IS = (10-9 ~ 10-16) A 硅 PN 结 VD(on)= 0.25 V 锗 PN 结 IS = (10-6 ~ 10-8) A V VD(on)时 随着V ? 正向R 很小 I ?? PN 结导通； V VD(on)时 IR 很小(IR ? -IS) 反向R 很大 PN 结截止。 温度每升高 10℃，IS 约增加一倍。 温度每升高 1℃， VD(on) 约减小 2.5 mV。 1.2.3　PN 结的击穿特性 |V反|? = V(BR)时， ? IR 急剧??? ， ? PN 结反向击穿。 雪崩击穿 齐纳击穿 PN 结掺杂浓度较低(lo 较宽) 发生条件 外加反向电压较大( 6 V) 形成原因： 碰撞电离。 V(BR) ID(mA) V(V) 形成原因： 场致激发。 发生条件 PN 结掺杂浓度较高(lo 较窄) 外加反向电压较小( 6 V) 因为 T