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PVD(下)：溅射周立伟目录溅射中的气体辉光放电溅射过程溅射方法总结溅射中的气体辉光放电具有一定能量的入射离子在对固体表面轰击时，入射粒子在与固体表面原子的碰撞过程中将发生能量和动量的转移，并可能将固体表面的原子溅射出来，称这种现象为溅射。在实际进行溅射时，多半是让被加热的正离子轰击作为阴极的靶，并从阴极靶溅射出原子，此过程又称为阴极溅射溅射过程都是建立在辉光发电的基础上，即射向固体表面的离子都是来源于气体放电，只是不同的溅射技术所采用的辉光放电方式不同。直流辉光放电图1辉光放电中电压与电流关系及放电模式暗流汤生放电辉光放电电弧放电在一圆柱形玻璃管内的两端加上两个平板电极，里面充以气压约为几Pa到几十Pa的气体，电极上加直流电压，电压与电流的关系如图1所示如图中所示，放电的区域分为无光放电区、汤生放电区、辉光放电区、电弧放电区等，溅射过程发生在反常辉光放电区无光放电区一般情况下，气体基本处于中性状态，只有极少量的原子受到高能宇宙射线的激发而电离，没有外电场的时候，和原子做相同的杂乱无章的运动，当有外电场时，电离的电子和离子做定向运动，速度随电场增加而加大，电压足够大时，带电粒子速度达到饱和值，对应图中电流从零逐渐增加到某一极大值，这段区域的电流很小，取决于气体中分子电离数，由于此区导电而不发光，因此称为无光放电区汤生放电区暗流区结束后，电极间电压继续升高，电子和离子的能量也随之增加，电子与中性气体分子之间不再是低速时的弹性碰撞，气体分子会电离产生正离子和电子（α作用），同时正离子对阴极的碰撞也将产生二次电子（γ作用），新的电子和离子被加速后，和气体分子发生碰撞，会有更多的分子电离，使离子和电子雪崩式的增加，放电电流迅速增加。由于电源高输出阻抗和限流电阻的作用，电压为一常数辉光放电区汤生放电之后，气体突然发生电击穿，电流骤增，电压下降，图1中的C点即为所谓的着火点，此点的放电区只是在阴极的边缘和不规则处，从C点开始，进入辉光放电前期，电流增加电压下降，在增大电流进入电压一定的正常辉光放电区，电流的增加只与阴极上辉光的区域有关，有效放电面积随电流增加而增大，但放电区域的电流密度保持不变。这一阶段，导电粒子数目大大增加，碰撞能量也很高，会产生明显的辉光，维持它的电压不是很高，而且不变。辉光放电的电流密度与阴极材料、气体种类、气体压强和阴极的形状有关，电流密度随气体压强的增加而增加，凹面形阴极的正常辉光放电电流密度要比平板形阴极大数十倍。由于正常辉光放电时的电流密度仍比较小，因此溅射选在反常辉光放电区。当整个阴极均成为有效放电区域后，即整个阴极都被辉光所覆盖，只有增加功率才能增加阴极的电流密度，从而增大电流，即电压电流同时增大，此时进入反常辉光放电区，其特点是电流增大，放电极板间电压升高，阴极电压降的大小与电流密度和气体压强有关。因为此时辉光已经布满整个阴极，在增加电流，离子层已经无法向四周扩散，只能向阴极靠拢，使离子层和阴极间距缩小，要想提高电流密度，必须增大阴极压降，使正离子有更大的能量去轰击阴极，使阴极产生更多的二次电子才行无光放电和汤生放电，都是以存在自然电离源为前提，如果不存在自然电离源，放电也不会发生，这种放电方式称为非自持放电，而辉光放电区，气体击穿之后，电子和正离子来源于电子的碰撞和正离子的轰击，即使不存在自然电离源，导电也会持续下去，这种放电方式称为自持放电，气体击穿时，即为非自持放电过渡到自持放电随着电流的继续增加，放电电压将再次突然大幅度下降，电流急剧增加，这时的放电现象开始进入电弧放电阶段溅射区域选在反常辉光放电区，整个放电管将呈现明暗相间的光层，从阴极至阳极之间，整个放电区可以划分阿斯顿暗区、阴极辉光区、阴极暗区、负辉光区、法拉第暗区、正柱区、阳极辉光区和阳极暗区等八个发光强度不同的区域。暗区相当于离子和电子的加速区，辉光区为不同粒子发生碰撞、复合、电离的区域在阴极附近有一明亮的发光层，它是由向阴极运动的正离子与阴极发射的二次电子发生复合所产生的，被称为阴极辉光区阴极暗区是二次电子和离子的主要加速区，这个区域的电压降占整个放电电压的绝大部分负辉光区是发光最强的区域，它是已获加速的电子与气体原子发生碰撞而电离的区域在放电导通过程中，电子和离子具有不同的速度，直接后果就是形成所谓的等离子鞘层，即任何处于等离子体中的物体相对于等离子体来讲都呈现出负电位，并且在物体表面附近出现正电荷的积累。这是因为任何处在等离子体中的物体，如靶材和衬底，均会受到等离子体的轰击，由于各种离子的速度不同，轰击物体表面的各种粒子的密度也不相同，由于离子的质量远远大于电子的质量，因而轰击物体表面的电子数远远大于离子数目。假如在初始时刻物体的表面没有净电荷积累的话，由于轰击表面的电子数目大于离子数目，物体表面将因剩余负电荷而呈现出负电位。负电