材料化学晶体缺陷化学预案.pptVIP

在一定条件下，K1、K2、K3的乘积为一常数KS，即： KS =K1·K2·K3=[ VCl·]/PNa · [ VNa’]/PCl21/2 · PNa PCl21/2 =[ VCl·] [ VNa’] 3-40 在氯化钠晶体中，正离子和负离子两种空位缺陷的浓度乘积是一个常数。增加钠蒸气的压力会减少正离子钠的空位，但同时又增加了负离子氯的空位；反之，增加氯的压力，增加了钠离子的空位，但同时减少了氯离子的空位。因此，我们可以通过改变实验条件来控制其中某一缺陷的浓度。 结论 2．低浓度杂质缺陷的拟化学平衡控制 我们以掺杂的CdF2为例，来讨论拟化学平衡对杂质缺陷浓度的控制。 CdF2在500℃时于Cd蒸气加热掺入稀土离子Sm3+，先形成杂质缺陷Sm·cd和阴离子填隙缺陷FI’，然后FI’与Cd蒸气反应： 2FI’+ Cd（蒸气）→CdF2（晶体）+2e’ 3-41 这2个电子与2个Sm·cd形成施主缺陷Sm×cd（或Sm·cd+ e’），故为n型半导体。 可以建立如下缺陷化学平衡： Frenkel缺陷