第四章Potentiometry电位法.pptVIP

当氟电极插入到F- 溶液中时，F-在晶体膜表面进行交换 原理： LaF3 的晶格缺陷（空穴）引起F- 的传导作用 在晶格上的F-可以移入晶格附近的空穴而导电 一定的晶体膜，离子的大小、形状和电荷决定其是否能够进入晶体膜内 膜电极具有较高的离子选择性的原因： （1~10-6mol/L ） 检测下限由单晶的溶度积决定 ：10-7mol/L pH高时，溶液中的OH-与氟化镧晶体膜中的F-交换 干扰离子：OH- 适用的pH范围： 5～6 pH较低时，溶液中的F-生成HF或HF2- 降低F-活度 反应产物为电极本身的响应造成正干扰 镧的强络合剂溶解LaF3： F-活度响应范围缩短 F- 离子选择电极 Ag2S 膜电极 离子接触型 全固态型 Ag2S 电极可用作硫离子电极 Ag2S 电极测定氰离子 银氰络离子浓度：10-5~10-6mol·L-1 K稳很大，忽略解离引起的络离子活度变化 AgX-Ag2S 膜电极：测定卤素离子 MS-Ag2S 膜电极：测定金属M离子 1－7 Pb2+ PbS－Ag2S 0－7 0－8 1－7 0－5 2－6 0－7.3 0－5.3 0－4.3 浓度范围(-lgc) Cu2+ CuS－Ag2S Cd2+ CdS－Ag2S SCN- AgSCN－Ag2S CN- AgI－Ag2S I- AgI－Ag2S Ag+ 任何卤化银或Ag