1.4 效应三管.pptVIP

FET BJT 导电方式 单极型 双极型 载流子运动方式 漂移 扩散 漂移 控制方式 压控 流控 输入电阻 高 低 热稳定性 好 差 噪声 小 大 抗辐射能力 强 差 * 第四节 场效应三极管 结型场效应管 绝缘栅场效应管 场效应管的主要参数 场效应三极管中参与导电的只有一种极性的载流子（多数载流子），故称为单极型三极管。 分类： 结型场效应管 绝缘栅场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 N沟道 P沟道 P沟道 1. 结构 N型沟道 耗尽层 g d s g d s P+ P+ N沟道结型场效应管的结构和符号 栅极 漏极 源极 § 1.4.1 结型场效应三极管 UGS→导电沟道宽度→ ID 通过改变加在PN结上的反向偏压（栅源电压UGS ）的大小来改变耗尽层的宽度，进而改变导电沟道的宽度，以达到控制沟道漏极电流的目的。漏极电流ID 受控于 UGS。当漏极电流为零时所对应的栅源电压UGS称为夹断电压UGS（off）。 2. 工作原理 2. 工作原理 uGS = 0 uGS 0 uGS = UGS(off) ⑴ 当uDS = 0 时， uGS 对耗尽层和导电沟道的影响。 ID=0 ID=0 N型沟道 g d s P+ P+ N型沟道 g d s P+ P+ g d s P+ P+ 沟道较宽，iD 较大。 iS = iD iD iS iD iS uGS=0 uGS 0，|UGS|增大 ⑵ 当uDS ＞ 0 时， uGS 对耗尽层和 iD 的影响。 N P+ P+ VGG VDD g d s N P+ P+ VDD g d s 沟道变窄， iD 较小。 uGDUGS(off) uGDUGS(off) N P+ P+ iD iS VGG VDD P+ P+ iD iS VGG VDD iD ≈ 0， 导电沟道夹断。 iD更小， 导电沟道预夹断。 uGS 0，|UGS|继续增大 |uGS |≥ |UGS(off)| UGD = UGS(off) uGD UGS(off) 3. 特性曲线 ⑴ 转移特性 iD = f（uGS）|uDS=常数 g d s mA V V ID VGG VDD 场效应管特性曲线测试电路 Ｎ沟道结型场效应管转移特性　 IDSS UGS(off) 饱和漏极电流 栅源间加反向电压 uGS 0 uGS/V iD/mA O ⑵ 输出特性 iD=f（uDS）|uGS=常数 预夹断轨迹 可变 电阻区 恒流区 击穿区 |UGS(off)|8V IDSS uGS=0 -4 -2 -6 -8 iD/mA uDS/V O |uGS-uDS|= |UGS(off)| 可变电阻区： iD 与uDS 基本上呈线性关系， 但不同的uGS 其斜率不同。 恒流区：又称饱和区， iD 几乎与uDS 无关， iD 的值受uGS 控制。 N沟道结型场效应管的漏极特性 击穿区： 反向偏置的PN结被击穿， iD 电流突然增大。 夹断电压 小结： 预夹断轨迹 可变 电阻区 恒流区 击穿区 |UGS(off)|8V IDSS uGS=0 -4 -2 -6 -8 iD/mA uDS/V O |uGS-uDS|= |UGS(off)| iD 受控于uGS : |uGS |↑则iD ↓直至等于0。 N沟道结型场效应管的漏极特性 以预夹断状态为分界线： 夹断电压 iD 受uDS影响: uDS↑则iD 先增随后近似不变。 预夹断前uDS↑则iD ↑ 预夹断后uDS↑则iD不变 § 1.4.2 绝缘栅场效应三极管的工作原理 由金属、氧化物和半导体制成。简称MOSFET ( Metal Oxide Semiconductor FET) MOSFET： 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 一、N沟道增强型MOSFET N沟道增强型MOSFET 基本上是一种左右对称的 拓扑结构，它是在P型半导 体上用氧化工艺生成一层 SiO2 薄膜绝缘层，然