数据存储介质与技术讲座_光信息存储技术与光盘课程介绍.pptVIP

2.激光光致相变 随着激光波长移向短波长，激光的光致相结构变化效应逐渐明显，相变机制也与热相变的机制不同。 图5－11示出高功率密度的激光脉冲下，介质内部发生的带间吸收和自由载流子吸收。由于入射激光束不与非晶网格直接作用，光子能量几乎直接用来激发电子，在高功率激光密度的激光作用下，自由载流子的产生率Re、电子与空穴的复合率Rr以及电子与网格点作用时将能量传递给声子的概率 Rc满足ReRr，RCRe。可见，这时介质内部的光吸收由带间吸收为主变为以自由载流子浓度猛增，从而使得电子－电子碰撞的概率（正比于N2）远远超过电子－网络碰撞的概率（正比于N），自由载流子吸收的光能远比它与网格点作用损失的能量为高，形成温度很高的电子－空穴等离子体，但网络点的温度变化不大。 激光脉冲结束后，等离子体中的过热电子在与声子相互作用（e－h碰撞）过程中将能量传递给网络点，或与空穴复合而释放能量，最终使介质回到自由能最低的晶态。对于组分符合化学计量比的介质，在光晶化的过程中没有长程原子扩散，只有原胞范围内原子位置的重新调整。 所以，光晶化机制是一种无扩散的跃迁复合机制。它利用弛豫过程和复合过程释放的能量促成网格元胞内原子位置的调整以及键角畸变的消失，从而完成晶化过程。 图5－11 光致相变介质内部光吸收过程 光致晶化过程包括光致突发晶化和声子参与的弛豫过程，前者需时在10－9－10－12秒量级，后者约几十钠秒。它与激光热致晶化过程的对比间表5－1。 热致晶化 光致晶化 本质 扩散型成核－长大式晶化过程 非扩散型跃迁－复合式晶化过程 条件 符合或不符合化学计量比的组分；所用的亚稳相 符合化学计量比组分；直接固态相变，无需成核 起因 热致起伏 激光束激发或电子束激发 耦合性质 相分离，原子扩散；原子振动；分子振动 无相分离，无扩散；原子位置调整；键角畸变消失 自持效应 不重要 自持晶化，重要 穿透深度 整体效应 激光束：100～5000?；电子束：1～2μm 晶化时间 较长的退火过程（0.5μm～1.0ms） 突发作用（1ns～1ps）+弛豫过程（10～200ns） 3.可擦重写光盘存储机构 可擦重写光盘在记录信息时一般需要先将信道上原有信息擦除，然后再写入新信息。这可以是一束激光的两次动作，也可以是两束激光的一次动作，即用擦除光束和之后写入光束的协调动作来完成擦、写功能。图5－12 可擦重写光盘存储机构与信息存储过程示意图。虚线框内是双光束光学头。1、2、3分别为写入光斑、擦除光斑和写的信息道。图（b）对应放大表示。左侧λ1是写入光路，右侧λ2是擦除光路。 4.2 可擦重写磁光光盘存储 目前磁光薄膜的记录方式有补偿点记录和居里点记录两类，前者以稀土－钴合金为主，后者则多为稀土－铁合金。 １．信息的写入 GdCo有一垂直于薄膜表面的易磁化轴。在写人信息之前、用一定强度的磁场H0对介质进行初始磁化，使各磁畴单元具有相同的磁化方向。在写入信息时，磁光读写头的脉冲激光聚焦在介质表面，光照微斑因升温而迅速退磁，此时通过读写头的线圈施加一反向磁场，就可以使光照微斑区反向磁化（图5－14（a）） ２．信息的读出 信息读出是利用Kerr效应检测记录单元的磁化方向。用线偏振光扫描录有信息的信道，磁化方向向上的光斑，反射光的偏振方向会绕反射线右旋一个角度，磁化方向向下的光斑则左旋一个角度。实际测试时，使检偏器的主截面调到与－θk对应的偏振方向相垂直的方位。 实际应用时，光盘的信噪比与Kerr角的大小密切相关，若反射光强度为I，且光盘的本底噪声主要来自散射效应，则信噪比可近似表示为 ３．信息的擦除 擦除信息时，如图5－14（c）所示，用原来的写人光束扫描信息道，并施加与初始H0方向相同的偏置磁场，则记录单元的磁化方向又会恢复原状。 图5－13 GdCo磁学特性与温度的依赖关系 图5－14 磁光介质的写、读、擦原理示意图 图5－15 某磁光薄膜矫顽力及Kerr角随温度的变化 1光盘规格 光盘衬盘厚1.2um，外形很像一张透明唱片。直径尺寸有（mm）356，300，200，130，120等，分布着间距为1.6um的预刻沟槽，同心圆或螺旋线都可，槽宽约0.8um，槽深取λ/8n，n是称盘的折射率，目前，半导体激光器波长λ＝830nm，称盘n＝1.49,槽深为70nm。 2村盘材料的选择 　衬盘材料应满足以下寻求： （1）物化特性。物理化学特性要求比重小，吸水率、成型收缩率尽可能低，用它制备光盘时脱气时间短，抗溶剂性强。 （2）光学性能好。对紫外光透射性能好；对写、读，擦波长吸收系数小；双折射低；透光均匀；材料中应当没有气泡、缺陷、杂质、凝胶胶粒等，否则会引起读、写、擦光束的衍射或消光，从而导致信号失真或信息误传。 （