存储器复杂可编程逻辑器件和现场可编程门阵列a解释.ppt

T / 刷新R 行选线X 读/写 输出缓冲器/灵敏放大器 刷新缓冲器 输入缓冲器 位 线 B 读操作:X=1 =1 T导通，电容器C与位线B连通 输出缓冲器/灵敏放大器被选通，C中存储的数据通过位线和缓冲器输出 每次读出后，必须及时对读出单元刷新，即此时刷新控制R也为高电平，则读出的数据又经刷新缓冲器和位线对电容器C进行刷新。 7.2.4 存储器容量的扩展 位扩展可以利用芯片的并联方式实现。 ··· D0 D1 D2 D3 CE D12 D13 D14 D15 ┇ A11 A0 ··· WE WE CE A0 A11 4K×4位 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 CE A0 A11 4K×4位 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 WE 1. 字长（位数）的扩展---用4KX4位的芯片组成4KX16位的存储系统。 * * 7 存储器、复杂可编程逻辑器件和现场可编程门阵列 教学基本要求： 掌握半导体存储器字、位、存储容量、地址、等基本概念。 正确理解RAM、ROM的工作原理及典型应用。 了解存储器的存储单元的组成及工作原理。 了解CPLD、FPGA的结构及实现逻辑功能的编程原理。 概 述 半导体存贮器能存