大规模集成电路解释.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * 　　在硅提纯的过程中，原材料硅将被熔化，并放进一个巨大的石英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种，以便硅晶体围着这颗晶种生长，直到形成一个几近完美的单晶硅。 * * * * * * * * * * * 为了能在晶片上控制电流，加热晶圆，使晶圆部分区域接触添加剂。添加剂里的原子能够替换晶圆里的部分硅原子来改变其导电性。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 封装形式 * ◆ 按封装材料划分为： 金属封装主要用于军工或航天技术，无商业化产品； 陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产品，占少量商业化市场； 塑料封装用于消费电子，因为其成本低，工艺简单，可靠性高而占有绝大部分的市场份额； 金属封装 陶瓷封装 塑料封装 封装形式 * ◆ 按与PCB板的连接方式划分为： PTH PTH-Pin Through Hole, 通孔式； SMT-Surface Mount Technology，表面贴装式。 目前市面上大部分IC均采为SMT式的 SMT 封装形式 * ◆ 按封装外型可分为： DIP、SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、PGA、BGA、CSP等； ◆ 决定封装形式的两个关键因素: 封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近1:1； 引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加； 其中，CSP由于采用了Flip Chip技术和裸片封装，达到了芯片面积/封装面积接近1:1，为目前最高级的技术； DIP（Dual-inline Package) * 双列直插式或封装双入线封装，DRAM或小规模集成电路的封装形式。 QFP -（ Quad Flat Package） * 方型扁平式封装 PGA(Pin Grid Array) * 阵列引脚封装 PGA(Pin Grid Array) * PGA(Pin Grid Array) * BGA- Ball Grid Array * 球栅阵列式封装 Ball * 引线框架（Read Frame） * 提供电路连接和Die的固定作用； 主要材料为铜，会在上面进行镀银、NiPdAu等材料； L/F的制程有Etch和Stamp两种； 易氧化，存放于氮气柜中，湿度小 于40%RH; 除了BGA和CSP外，其他Package都会采用Read Frame，BGA采用的是Substrate； 焊接金线（Gold Wire） * 实现芯片和外部引线框架的电性和物理连接； 金线采用的是99.99%的高纯度金； 同时，出于成本考虑，目前有采用铜线和铝线工艺的。优点是成本降低，同时工艺难度加大，良率降低； 线径决定可传导的电流；0.8mils，1.0mils，1.3mils，1.5mils和2.0mils； Multi-Chip Modules * MCM * IBM Power5 CPU using MCM-C technology as a 95x95 mm module 封装流程 * FOL/前段 EOL/中段 Plating/电镀 EOL/后段 Final Test/测试 * Back Grinding 磨片 Wafer Wafer Mount 晶圆安装 Wafer Saw 晶圆切割 Wafer Wash 晶圆清洗 Die Attach 芯片粘接 Epoxy Cure 银浆固化 Wire Bond 引线焊接 2nd Optical 第二道光检 3rd Optical 第三道光检 EOL FOL– Front of Line前段工艺 引线焊接（Wire Bonding） * 陶瓷劈刀Capillary 内穿金线，并且在打火杆EFO的作用下，高温烧球； 金线在Cap施加的一定压力作用下，形成Bond Ball； 金线在Cap施加的一定压力作用下，形成Wedge； 引线焊接（Wire Bonding） * EFO打火杆在磁嘴前烧球 Cap下降到芯片的Pad上，加Force和Power形成第一焊点 Cap牵引金线上升 Cap运动轨迹形成良好的Wire Loop Cap下降到Lead Frame形成焊接 Cap侧向划开，将金线切断，形成鱼尾 Cap上提，完成一次动作 * EOL– End of Line后段工艺 Molding 注塑 EOL Laser Mark 激光打字 PMC 高温固化 De-flash/ Plating 去溢料/电镀 Trim/Form 切筋/成型 4th Optical 第四道光检 Note： Just For TSSOP/SOIC/QFP package Annealing 电镀退火 注塑（