多栅指结构GaN基场效应晶体管器件工艺及图设计+学位+统招+文于华+电子科学与技术详解.docVIP

学号： 14112500128 毕业设计 题 目： 多栅指结构GaN基场效应晶体管器件工艺及版图设计 作 者 吴珍珍 届 别 2015 院 部 物理与电子学院 专 业 电子科学与技术 指导老师 文于华 职 称 讲师 完成时间 2015.05  摘 要 宽禁带半导体材料一般是定义为禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料。氮化镓(GaN)是近些年发展起来并得到广泛应用的宽禁带半导体材料之一，该材料具有禁带宽度大、热导率高、介电常数低、电子漂移饱和速度高等特性，在制作高温、高频、高功率以及制作抗辐射的电子器件方面有很大的优势，由于氮化镓的宽禁带的特点，还能制作紫外光、绿光以及蓝光等光电子器件。基于该材料的优点及其器件的应用前景，本论文主要围绕多栅指结构GaN基场效应晶体管器件工艺及版图设计这两方面展开了以下具体工作： 1）调研多栅指结构GaN基场效应晶体管器件的工作原理和基本特性,掌握制作该器件工艺的关键技术； 2）运用Tanner L-EDIT版图设计软件设计出AlGaN/GaN HFET的版图模型以达到预期目的。 以GaN为代表的Ⅲ族氮化物半导体材料，因其应用前景诱人以及巨大的市场潜力必定会引起激烈的市场竞争。所以研发多栅指结构GaN基场效应晶体管器件就成了科学家抢占高技术领域的战