大学半导体材料课后习题答案期末考试复习简介.docVIP

半导体材料复习资料 L。/kTE:物质相变熵，决定于物质的本性，共存两相的类别 TE为相变时平衡温度 L。为单个原子相变时内能的改变，并可近似的看作相变潜热 L。/TE 为单个原子的相变熵 y1 v 取向因子，取决于晶体结构和界面的取向，反应晶体的各向异性 v 为晶体内部的一个原子的近邻原子数，与晶体结构有关 y1为原子在界面内水平方向的近邻原子数，它取决于界面的取向 写出熔体生长时单晶炉内热场的基本要求并作出解释 ①熔体中：纵向温度梯度（dT/dz）L0，径向温度梯度（dT/dr）L0 即熔体内部温度高于熔点，保证熔体中不发生均匀成核同时坩埚璧处温 度高于熔点，保证坩埚边缘处不发生非均匀成核。 ②晶体中（dT/dz）s0,且大小相当，既能排出相变潜热又不因过大使缺陷增加而影响晶体的完整性。 写出熔体生长的界面热流连续方程并讨论晶体直径，生长速度与晶体散热和熔体供热之间的关系。说明实际生产中如何控制晶体直径。 （1）界面热流连续方程 （2）晶体直径，生长速度与晶体散热和熔体供热的关系 ①(dT/dz)s→大或(dT/d