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3、调制特性 如下图为半导体激光器的直接调制的原理图。 下图示出了1ns单个脉冲持续周期内的模式脉动现象。 脉冲持续期内的动态谱特性 4、波长调谐特性 在波分复用及相干光纤传输系统中,光源常常需要调谐。下面介绍几种调谐方法。 热调谐:是利用不同温度下谐振腔尺寸的变化,引起谐振频率的变化,调谐灵敏度为10-20GHz/oC。 外腔机械调谐:是将作为增益媒质的LD芯片,置于一外腔中,改变外腔尺寸而实现波长调谐。 外腔结构有光栅、光纤或自聚焦透镜等,如下图: 光栅外腔可调谐半导体激光器 LD芯片的一个端面增透镀覆,从该端面出来的光由一个透镜准直后与光栅形成外腔,激射频率由旋转光栅来粗调,轴向移动光栅来细调。 当外腔长为25cm时,这种结构在1.55μm波长上获得了40nm的调谐。 同时,外腔也使输出线宽大大压缩,达到5kHz左右。 激光二极管驱动电路 与LED相比,LD的驱动要复杂得多。尤其在高速调制系统中,驱动条件的选择、调制电路的形式和工艺、激光器的控制等都对调制性能至关重要。 偏置电流的选择直接影响LD的高速调制特性。选择直流预偏置电流时应考虑: (1)增大直流预偏置电流(Ib)使其逼近阈值,可以减小电光延迟时间,抑制张驰振荡;(Ib =(0.85-0.9)Ith ) (2)当激光器偏置在阈值附近时,较小的调制脉冲电流就能得到足够的输出光脉冲,这样可以大大减小码型效应; (3)加大直流偏置电流,使激光器在发“0”和发“1”时的光功率之比(即消光比)增大,从而影响接收机的灵敏度。 因此,偏置电流的选择要兼顾电光延迟、张驰振荡、码型效应以及消光比等各种因素。 LD无偏置(a)及有偏置(b)时脉冲瞬态波形及光谱 在使用中,LD结温的变化及老化都会使Ith增大,微分外量子效率下降,两者会使输出光脉冲幅度产生变化,如下图。 LD阈值电流(a)及微分外量子效率(b)变化时的光输出 自动温度控制(ATC) 随着温度的变化,半导体光源的特性会发生变化。特别是对于LD,随着温度的升高,阈值电流增加,发光功率降低,发射波长向长波长移动等。 温度控制由微型制冷器、热敏元件及控制电路组成,如下图所示。热敏元件监测激光器的结温,与设定的基准温度比较,根据温度差异的情况,驱动制冷器的控制电路改变制冷效果,从而使激光器在恒定的温度下工作。 自动温度控制方框图 自动功率控制(APC) 半导体激光器的输出功率不仅与温度的变化有关,而且与器件的老化有关。随着器件的老化,LD的阈值上升,输出光功率下降。为了进一步稳定输出光功率,除了采取温度控制措施外,一般还采取自动功率控制。 如下图,从LD背向输出的光功率,经PD检测器检测,运算放大器A1放大后送到比较器A3的反相输入端。同时,输入信号参考电压和直流参考电压经A2比较放大后,送到A3的同相输入端。A3和V3组成直流恒流源以调节LD的偏流,使输出光功率稳定。 自动功率控制的电路原理图 第3章 半导体激光二极管和激光器组件 半导体激光器基础知识 半导体激光器类型、组件及特性参数 半导体激光二极管和激光器组件 第一节 半导体激光器基础知识 一、半导体激光器的工作原理 半导体激光器产生激光输出的基本条件: 粒子数反转 光反馈 阈值条件 1、粒子数反转 在热平衡条件下,二能级原子系统中上能级的粒子要比下能级少得多,服从波尔兹曼分布。此时不会发生受激发射。 为了产生受激辐射,必须建立非平衡得分布,即使上能级的粒子数大于下能级的粒子数,使受激发射大于受激吸收,这种状态叫做粒子数反转。 波尔兹曼分布 粒子数反转 激光器的粒子数反转状态可采用电或光的泵浦。 2、光反馈和激光振荡 在有源区内,开始少数载流子的自发辐射产生光子。一部分光子一旦产生,就穿出有源区,得不到放大;另一部分光子可能在有源区内传播,并引起其他电子-空穴对的受激辐射,产生更多的性能相同的光子,得到放大。 为了得到激光,必须将激活物质置于光学谐振腔中,如下图。 通过腔两端的反射,向光子提供正反馈。光信号每通过一次增益媒质就得到一次放大。 激光器中的光反馈及FP腔 这种光学结构称为法布里-珀罗谐振腔,简称F-P谐振腔。 在LD中,作为增益媒质晶体两端的自然解理面形
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