PN结的单向导电性概述.ppt

上页 下页 后退 模拟电子 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 第*页 模拟电子技术 江苏理工学院电信学院 第一章半导体二极管及其应用 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 《模拟电子技术》 微课课件 在浓度差的作用下，两边多子互相扩散。在P区和N区交界面上，留下了一层不能移动的正、负离子 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - P - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 复习：PN结的形成 PN结 空间电荷层 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - P - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 形成内电场 内电场方向 复习：PN结的形成 PN结形成过程动画演示 1.1.2 PN结的单向导电性 1．PN结正向偏置 2．PN结反向偏置 - - - - - - P N + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + R S E内 + + + + + + 1．PN结正向偏置 - - - - - - P N + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + R S E内 + + + + + + 内电场被削弱 PN结变窄 PN结呈现低阻、导通状态 多子进行扩散 PN结正偏动画演示 内电场增强 PN结变宽 PN结呈现高阻、 截止状态 不利多子扩散 有利少子漂移 - - - - - - P N + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + R S E内 + + + + + + 2．PN结反向偏置 因少子浓度主要与温度有关，反向电流与反向电压几乎无关。此电流称为反向饱和电流，记为IS。 - - - - - - P N + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + R S E内 + + + + + + 2．PN结反向偏置 PN结反偏动画演示 总结： PN结正向偏置时，PN结变窄；多子的扩散运动加强，少子漂移运动减弱；PN结呈导通状态。 PN结反向偏置时，PN结变宽；多子的扩散运动减弱，少子漂移运动加强；PN呈截止状态。 PN结反偏时，反向饱和电流为IS 课后作业： 教材 P23/ 1-1(4)~(7) 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 第*页 模拟电子技术 江苏理工学院电信学院 第一章半导体二极管及其应用 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 上页 下页 后退 模拟电子技术基础 上页 下页 后退 模拟电子技术基础