低氟MOD法制备YCO及AgGd协同掺杂效应.docVIP

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  • 2017-05-13 发布于贵州
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低氟MOD法制备YCO及AgGd协同掺杂效应

低氟MOD法YBCO外延生长Ag、Gd协同掺杂效应 低氟金属有机物沉积(MOD)在氧化物缓冲层哈氏合金基底上了一系列Y1-xGdxBa2Cu3O7-(-Ag采用衍射仪(XRD)扫描电子显微镜研究了Ag及表面形貌的影响分析适量的掺杂使YBCO生长易于形成与Ag、Gd协同掺杂的样品具有更为平整的表面形貌性能均优于性能7K、自场下适量的协同薄膜临界电流密度的提升这可能是由于掺杂的结构有效的磁通钉扎。 关键词: MOD, 高温超导, 涂层导体,Gd掺杂,Ag掺杂 在众多超导材料中,存在三类能够实用化的超导材料低温超导材料(NbTi、Nb3Sn),应用于价格昂贵的液氦区4.2K);中温超导材料MgB2), 应用于;高温超导材料Bi2Sr2Ca2Cu3Oy、Bi2Sr2Ca1Cu2Oy、YBa2Cu3Oy),应用于价格的液氮(7K)。Bi系高温超导线材称为第一代高温超导带材,在液氮温区的不可逆场较低,只有在较低温度时才适于强电应用;此外其交流损耗较大不符合交流传输和变化磁场的应用,而且制备成本较高,使得基于它的超导技术在工业上的大规模应用前景变得渺茫[1]。 与第一代高温超导带材相比,第二代高温超导钇系带材具有较高的不可逆场,临界电流密度在磁场中可维持在很高的水平[2-6]。获得高质量、高性能及可重复性好的钇系薄膜(涂层)一直是人们所追求的目标。目前,YBCO的制备方法主要有脉冲激光沉积法(PLD)、金属有机盐化学气相沉积法(MOCVD)和化学溶液沉积法(CSD)[7-10]。化学溶液沉积方法不需要真空设备,有制备成本低,沉积速率高,成分控制精确等优点,尤其是金属有机沉积(MOD)法,经过多年的研究已成为制备YBCO的重要方法之一,美国超导公司采用改进的低氟MOD方法制备出77K自场下临界电流为200~300A的千米级带材,代表了高性能低成本技术的发展方向[11]。 目前随着制备技术的发展,高温超导材料的产业化正逐渐形成,第二代实用高温超导材料-涂层导体已处于产业化初期阶段。尽管第二代高温超导带材的研发取得了一系列重大进展,但是制备成本仍然非常昂贵,限制了大规模应用要求,因此有效提高YBCO超导带材的临界电流和机械性能是YBCO商业化所面临的重要挑战[12]。 高温超导体的临界电流密度Jc主要取决于晶体中的缺陷结构和晶粒间的结构。一般通过改善工艺和引入钉扎中心来提高超导体的临界电流密度。当YBCO薄膜中缺陷的尺寸与超导相干长度匹配时会产生较强的磁通涡旋钉扎。由于高温超导体的相干长度很小,通常来说像晶格点阵中的二相粒子、点缺陷、位错、晶界及反相晶界等纳米尺度的缺陷才可以作为磁通钉扎中心[…]。除了自发生长的纳米缺陷外,磁通钉扎中心也可以通过人工的方法引入。目前,普遍采用的人工引入钉扎中心的方法有:稀土元素部分替代Y位[..],引入二相粒子BaZrO3、 BaSnO3 、BaHfO3 以及贵重金属Ag、Au、Pd及其化合物等[4],二相材料与YBCO组成的多层复合材料[8],纳米颗粒修饰基带表面[..]等。通过上述方法,YBCO涂层导体在磁场下的临界电流密度得到了大幅度的提升。 许多课题组采用物理方法进行银掺杂,发现适量银掺杂可以使YBCO表面形貌更为平整致密,而且临界电流密度也有显著提升[10-12];块材中掺银[13-15],银弥散分布在晶界中降低了晶界的弱连接,银的存在改善了块材的机械性能,降低了接触电阻MOD方法进行银掺杂却鲜有报道[16],在我们之前的工作中发现的掺杂比例等于 mol%时可以c轴成核以及表面微结构并最终导致超导性能的提升.]。 为此本工作银掺杂比例固定在5 mol%,用取代与Ag、Gd协同掺杂的样品具有更为平整的表面形貌性能均优于性能 2实验 类似于传统的三氟乙酸盐金属金属有机沉积钡盐、d、Cu盐溶液。以Y:Gd:Ba:Cu=1-x:x:2:3(x=0,0.25,0.5,0.75,1)的化学计量比进行称量,低压蒸馏后溶液呈粘稠状,加入一定量的甲醇进行稀释,并重复之前的蒸馏过程,最后在胶体中加入适量溶剂定容,控制总阳离子浓度为1.5 mol/L在溶液中加入 mol%的三氟乙酸银,搅拌均匀溶液的稳定性中加入若干二乙醇胺()添加量为0g/ml,采用浸涂法在Hastelloy/Al2O3/Y2O3/MgO/LaMnO3涂敷Y1-xGdxBa2Cu3O7-(-Ag 前驱膜,将湿膜在150 ℃ 下烘干,然后在湿氧气氛 K/min的升温速率进行低温热解水分压.1%)金属有机沉积方法(TFA-MOD)4h缩短至8min。之后,将气氛为湿2/O2混合气体,氧分压为ppm, 水分压4.2%,快速升温至770℃,并在70℃恒温100min,前80 min为湿气,后20 min为干气,使得非晶膜结晶形核。薄膜在干燥的N2/O2气氛中随炉冷

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