全国20087月高教育自学考试 电子技术基础(三)试题 课程代码04730.docVIP

全国2008年7月高等教育自学考试 电子技术基础（三）试题 课程代码：04730 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题1分，共15分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.正弦电流iL(t)==Imsint流过电感L，则产生在电感两端的电压vL(t)等于（　　　） A. B. C. D. 2.电路如题2图所示，则正确反映电流I1和I之间关系的式子是（　　　） A. B. C. D. 3.电路如题3图所示，则电流I和电压U的值分别为（　　　） A.U=-50V, I=-5A B.U=-50V, I=5A C.U=50V I=-5A D.U=50V, I=5A 4.室温下，本征半导体硅中自由电子和空穴的浓度关系是（　　　） A.空穴浓度大于自由电子浓度 B.空穴浓度小于自由电子浓度 C.空穴浓度等于自由电了浓度 D.无法比较 5.电路如题5图所示，稳压管Dz的击穿电压为6V，U1=15V，则UO等于（　　　） A.-6V B.-5V C.5V D.6V 6.下列集成器件中，不属于模拟集成器件的是（　　　） A.集成运放 B.集成功放 C.集成计数器 D.集成稳压器 7.为避免外接电阻给运放带来附加输入电压，同相端和反相端的外接电阻应（　　　）