2010《半导体物理》期中试题解答综述.pptVIP

微电子与固体电子学院 《半导体物理》 期中试题解答 一、填空题 纯净半导体的霍尔系数 小 于0。若一种半导体材料的霍尔系数等于0，则该材料的极性是 P 型。 电子在各能量状态上的分布服从 费米分布 的半导体称为简并半导体，可以采用 波尔兹曼分布 近似描述的半导体称为非简并半导体。 室温下本征Si的掺入杂质P后，费米能级向 导带 / Ec 移动，若进一步升高温度，费米能级向 Ei /本征费米能级 / 禁带中心能级 /价带 移动。 半导体回旋共振实验用来测量载流子的 有效质量 。 重掺杂通常会使半导体的禁带宽度变 窄 。 金掺入半导体Si中是一种 深能级 杂质。 7.电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体各元胞对应点出现的几率相同 的几率相同。 8. 硅的晶体结构和能带结构分别是 金刚石 型和 间接带隙型。 二、选择题 在常温下，将浓度为1014/cm3 的As 掺入Si半导体中，该半导体中起主要散射作用的是 C 。 杂质散射 光学波散射 声学波散射 多能谷散射 下列哪个参数不能由霍尔效应实验确定 C 。 迁移率 载流子浓度 有效质量m* 半导体极性 重空穴指的是 D 。 质量较大的原子组成的半导体中的空穴 比电子质量大的空穴 价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴